研發成果查詢

專利

搜尋結果: 130項

多階程式化一相變化記憶胞的方法

材料系  何永鈞老師

本發明提供容易實現之一種多階程式化一相變化記憶胞的方法及一種相變化記憶體。相變化記憶體包含複數相變化記憶胞及一寫入電路。每一相變化記憶胞包括一第一電極、一相變化材料層及一第二電極。寫入電路經由相變化記憶胞中被選定的一者的第一電極及第二電極,施加一重設電壓脈衝,以在相變化材料層中形成一具有預設大小的非晶區域,及根據一寫入資料,施加至少一設定電流脈衝,以減小相變化材料層的非晶區域到與寫入資料對應的大小,其中,設定電流脈衝的振幅、寬度及數量中的至少一者是可調的,且與寫入資料對應。

閱讀詳細內容
多階程式化一相變化記憶胞的方法及相變化記憶體

材料系  何永鈞老師

本發明提供一種多階程式化一相變化記憶胞的方法及一種相變化記憶體,容易實現,且可以提高重覆次數及減輕熱串號問題。相變化記憶體包含複數相變化記憶胞及一寫入電路。每一相變化記憶胞包括一第一電極、一相變化材料層及一第二電極。寫入電路經由相變化記憶胞中被選定的一者的第一及第二電極,施加一設定電流脈衝,以使相變化材料層實質上完全結晶,及根據一寫入資料,施加至少一重設電壓脈衝,以在相變化材料層中產生一大小與寫入資料對應的非晶區域,其中,重設電壓脈衝的振幅、寬度及數量中的至少一者是可調的,且與寫入資料對應。

閱讀詳細內容
程式化一相變化記憶胞的方法及相變化記憶體

材料系  何永鈞老師

本發明提供一種程式化一相變化記憶胞的方法及一種相變化記憶體,可以提高操作效率。相變化記憶體包含複數相變化記憶胞及一寫入電路。每一相變化記憶胞包括一第一電極、一相變化材料層及一第二電極,相變化材料層與第一電極的接觸面積小於與第二電極的接觸面積。寫入電路經由相變化記憶胞中被選定的一者的第一及第二電極,施加一設定電流脈衝到相變化材料層,及施加一重設定壓脈衝到相變化材料層,其中,重設電壓脈衝使第一電極的電壓減去第二電極的電壓所得到的電壓差與相變化材料層的席貝克係數異號。

閱讀詳細內容
煉鋼用脫硫劑的製備方法

材料系  吳威德老師

一種煉鋼用脫硫劑的製備方法,包含以下步驟:步驟(a),將氧化鈣與三氧化二鋁混合,並依序進行熔融處理及冷卻處理,形成包含七鋁酸十二鈣的鋁酸鈣組分;及,步驟(b),將該鋁酸鈣組分、精煉渣、氧化鈣、氧化鎂及氟化鈣進行混合處理,形成包含七鋁酸十二鈣、氧化鈣、二氧化矽、三氧化二鋁、氧化鎂及氟化鈣的煉鋼用脫硫劑。以該煉鋼用脫硫劑的總量為100wt%計,氧化鈣、二氧化矽、三氧化二鋁、氧化鎂及氟化鈣的總含量依序為45至60wt%、5至15wt%、15至30wt%、0至10wt%,及5至15wt%。由本發明煉鋼用脫硫劑的製備方法所製得的煉鋼用脫硫劑具有80%以上的脫硫率的優點。

閱讀詳細內容
造渣用組成物

材料系  吳威德老師

一種造渣用組成物,包含以該造渣用組成物的總量為100 wt%計,15 wt%至35 wt%的FeO、35 wt%至45 wt%的CaO、10 wt%至20 wt%的SiO 2,及10 wt%至20 wt%的Al 2O 3。該造渣用組成物應用於電弧爐煉鋼製程中,使雜質(例如磷等)自熔解的廢鋼中脫離並且獲得爐渣,所形成的爐渣的黏度不易受溫度影響而變化,再者,該爐渣具有寬廣的發泡溫度,此外,由該爐渣所形成的泡沫爐渣具有長的泡沫壽命。

閱讀詳細內容
造渣用組成物

材料系  吳威德老師

一種造渣用組成物,包含以該造渣用組成物的總量為100 wt%計,15 wt%至35 wt%的FeO、35 wt%至45 wt%的CaO、10 wt%至20 wt%的SiO 2,及10 wt%至20 wt%的Al 2O 3。該造渣用組成物應用於電弧爐煉鋼製程中,使雜質(例如磷等)自熔解的廢鋼中脫離並且獲得爐渣,所形成的爐渣的黏度不易受溫度影響而變化,再者,該爐渣具有寬廣的發泡溫度,此外,由該爐渣所形成的泡沫爐渣具有長的泡沫壽命。

閱讀詳細內容
量測熔融爐渣發泡高度的方法

材料系  吳威德老師

一種爐渣發泡量測裝置,用於量測熔融爐渣的發泡高度,該爐渣發泡量測裝置包含一坩鍋單元、一外罩及一電壓檢測單元。該坩鍋單元用於容置該熔融爐渣。該外罩環繞該坩鍋單元且與該坩鍋單元相間隔。該電壓檢測單元包括一固定電極、一移動電極及一發泡儀,該移動電極底端能於該熔融爐渣的內外上下移動,該發泡儀能即時偵測電壓。本發明爐渣發泡量測裝置能解決以現有裝置量測熔融爐渣之發泡高度時,需針對不同組成的爐渣重新製作檢量線及量測精準度會下降的缺點。

閱讀詳細內容
異種供料系統

材料系  吳威德老師

一種異種供料系統,適用於在一積層製造機供應二種不同的材料,包含一閥單元,及一噴頭單元。該閥單元包括二電磁閥,每一電磁閥具有導入各別之材料的一入料口、導入氣體的一進氣口、一出口,及被電流控制且在一第一位置、一第二位置間移動的一閥桿,在該第一位置時,該閥桿用於使該出口連通於該入料口,在該第二位置時,該閥桿用於使該出口連通於該進氣口。該噴頭單元包括一噴頭,該噴頭具有連通於該等電磁閥之出口的至少二噴口,當其中一噴口噴送材料時,另一噴口則噴送氣體。藉此,可以在積層製造過程中,直接切換不同的材料,或同時使用兩種材料,

閱讀詳細內容
積層製造加工機

材料系  吳威德老師

一種積層製造加工機,包含一個載台,及一個積層製造裝置。該積層製造裝置包括用於輸送粉末至該載台上方的一物料供給單元,及用於熔融前述粉末成為一層沉積層的一熔融單元。該熔融單元具有用於輸送惰性氣體的一個工作氣路組、用於匯集惰性氣體與粉末且相對該載台釋出粉末的一腔體,及與該載台產生移轉式電漿電弧效應的一熔融槍,前述移轉式電漿電弧效應是在大於30伏特的電壓下產生,且用於熔融由該腔體釋出的粉末,使二層以上的沉積層在該載台上堆疊成為該積層體。藉此,在熔融由該腔體釋出的粉末時,可以使熱量集中在噴入的粉末上,而非已有的沉積層或工件上,使熔融的金屬液可以快速凝固成沉積層而不致下垂。

閱讀詳細內容
煉鋼用處理劑及煉鋼方法

材料系  吳威德老師

一種煉鋼用處理劑,包含石灰塊及熱還原渣,其中,該熱還原渣是使含硫熔鋼經一次或一次以上的脫硫處理所生成;及以該熱還原渣的總重為100重量份計算,該石灰塊含量範圍為1~85重量份。本發明另提供一種利用該煉鋼用處理劑的煉鋼方法。本發明煉鋼用處理劑可應用於脫硫或脫磷製程,且因該煉鋼用處理劑含有熱還原渣而能大幅降低成本及煉鋼製程中的能源耗費。

閱讀詳細內容
積層製造方法及其加工機

材料系  吳威德老師

一種積層製造方法及其加工機,包含一個載台、一個積層製造裝置,及一個振動裝置。該積層製造裝置包括用於輸送粉末至該載台上方的一物料供給單元,及用於熔融所述粉末成為一層沉積層的一熔融單元,使兩層以上的沉積層在該載台上堆疊成為一個積層體。該振動裝置包括與該載台接觸且用於產生振波的一個振動單元,使振波通過該載台傳遞至所述沉積層。藉此,在所述沉積層堆疊過程中,結合同步振動的方式,使該積層體具有低應力、低變形量、細小顯微結構等優點,進而提升層與層間的密實度,及縮減製程時間。

閱讀詳細內容
煉鋼用脫硫劑及脫硫方法

材料系  吳威德老師

一種煉鋼用脫硫劑包含精煉渣及補充材,以該精煉渣總重量為100wt%,精煉渣包括52~56 wt%的氧化鈣、6~30 wt%的氧化矽、6~28 wt%的氧化鋁、5~7 wt%的氧化鎂、2~8 wt%的氟化鈣及0.7~1.1 wt%的硫。補充材包括氧化鈣、氧化鋁及氧化矽。以該煉鋼用脫硫劑的總重量為100重量份計算,精煉渣的含量範圍為30~50重量份,以及該補充材的含量範圍為50~70重量份。以精煉渣及補充材的總重為100 wt%,氧化鈣的總含量範圍為55~60 wt%,氧化鋁的總含量範圍為25~30 wt%及

閱讀詳細內容
簡便應力消除方法及其裝置

材料系  吳威德老師

一種簡便應力消除裝置,包含以介於1HZ~100HZ的振動頻率相對一個工件傳遞振波的一個激振器、用於感測振幅與振動頻率並輸出一個電壓訊號的一個感測器,及與該感測器電連接的一個頻譜分析儀。該頻譜分析儀根據該電壓訊號中包括的振幅與振動頻率,以傅立葉轉換運算,獲得諧振波的頻譜,及分離出頻率域介於250 HZ~1750HZ的諧振波,而獲得對應該諧振波出現最大振幅時的振動頻率,並作為該激振器的一個額定振動頻率,使該該激振器持續以該額定振動頻率產生振動,進而消除該工件的殘留應力。藉此,本發明是以前述特殊波段的諧振波,提升殘留應力的消除比率,及利用該頻譜分析儀特殊的分析及運算方式,自動計算出最佳的額定振動頻率,進一步提升決定該額定振動頻率的速度及精準度。

閱讀詳細內容
積層製造方法及其加工機

材料系  吳威德老師

一種積層製造方法及其加工機,包含一個載台、一個積層製造裝置,及一個振動裝置。該積層製造裝置包括用於輸送粉末至該載台上方的一物料供給單元,及用於熔融前述粉末成為一層沉積層的一熔融單元,使二層以上的沉積層在該載台上堆疊成為一個積層體。該振動裝置包括與該載台接觸且用於產生振波的一個振動單元,使振波透過該載台傳遞至該等沉積層。藉此,在該等沉積層堆疊過程中,結合同步振動的方式,使該積層體具有低應力、低變形量、細小顯微結構等優點,進而提升層與層間的密實度,及縮減製程時間。

閱讀詳細內容
脫硫劑及降低鋼液中硫含量的方法

材料系  吳威德老師

一種脫硫劑包含氧化鈣、二氧化矽及氧化鋁,其中,以該脫硫劑的總重為100wt%計,該氧化鋁的含量範圍為20~26wt%,該氧化鈣與該氧化鋁的重量比值範圍為2.19~3。本發明的脫硫劑具有高脫硫率,因此能展現極佳的脫硫效果。

閱讀詳細內容
金屬空氣電池發光之救生裝置

材料系  吳威德老師

一種金屬空氣電池發光之救生裝置,包含一可漂浮於水面的浮體、一設置於該浮體的發光單元,及一可拆卸地設置於該浮體的金屬空氣電池單元。該金屬空氣電池單元並未設置電解液,不僅可避免非使用狀態時的自主放電,亦可大幅延長該救生裝置的保存期限。在受難者落入水中時,該浮體可幫助受難者漂浮於水面上避免溺水,該金屬空氣電池單元一接觸到含有電解質的液體,如海水、河水時,便可將該液體作為電池反應所需之電解液而開始放電,進而使該發光單元自動發出求救訊號,有利於增加搜救行動時發現受難者的機會。

閱讀詳細內容
鈮黃銅

材料系  吳威德老師

一種鈮黃銅,以其總重為 100 重量份計,係包含 0.05~0.6 重量份的鈮,以及 99.4~99.95重量份的黃銅。於黃銅中添加無毒的鈮能防止黃銅脫鋅腐蝕,並提高黃銅切削性,更讓黃銅於高溫環境下不易發生爆裂且不會析出有毒元素。

閱讀詳細內容
活性氧化鈣含量的檢測方法

材料系  吳威德老師

一種活性氧化鈣含量的檢測方法,包含以下步驟:(A)提供一粒徑範圍為0.075mm以下的待測樣品;(B)使該待測樣品與蔗糖水溶液於封閉環境下進行混合,以獲得一混合液;(C)利用5C濾紙過濾該混合液,得到一濾液;(D)於該濾液中加入隱蔽劑,並調整pH值為13,得到一測試液;及(E)於該測試液中加入指示劑,並以乙二胺四乙酸溶液進行滴定,並由乙二胺四乙酸溶液的使用量計算出活性氧化鈣之含量比例。本發明檢測方法具有優異的準確度,並可用於檢測各種含有活性氧化鈣的待測樣品。

閱讀詳細內容
硬面潛弧銲接裝置

材料系  吳威德老師

一種硬面潛弧銲接裝置,包含位於一工件上方的一銲座、導引粉末狀合金料撒落在該工件上的一合金料供給單元、導引銲藥撒落在合金料上的一銲藥供給單元,及導引銲線通過該銲座與該工件上的銲藥且供給銲線的一銲線供給單元。藉此,以本發明特殊的銲藥、銲線、合金料供給系統,配合潛弧銲的銲接技術,對該工件進行硬面銲覆,不但能夠大幅提升熔填效率,而適用於大面積的工件,且補充合金料的方式,能夠配合硬面需求,方便選擇及替換適用的合金料,提升銲接時的方便性與實用性。

閱讀詳細內容
煉鋼用調整劑

材料系  吳威德老師

本發明提供一種煉鋼用調整劑,包含CaO 45-65 wt%、Al2O315-25 wt%、MgO 6-10 wt%、SiO28-12 wt%及B2O32-10 wt%。該調整劑所含組份皆無毒,更具有高脫硫能力與低熔點性質,可在短時間內有效率的調整鋼液組成,並降低對爐襯的侵蝕。

閱讀詳細內容
以震動消除殘留應力的方法

材料系  吳威德老師

一種以震動消除殘留應力的方法,是以一系統做為工具,該系統包含可改變振動頻率的一振動器、可量測振幅與頻率的一感測器,及可顯示振幅與頻率的一顯示器。該方法主要是使該振動器、該感測器與一工件接觸,使該工件在該振動器振動過程中同步產生振動,然後,透過該感測器量測該工件振波的振幅與頻率,並顯示在該顯示器,再調整該振動器的振動頻率,至該顯示器顯示出依附在主震動波的高頻波產生最大的振幅,藉此,當工件發生依附在主震動波的高頻波產生最大的振幅時,就可以有效地消除大部分的殘留應力。

閱讀詳細內容
含有鈦鉻的合金硬化層

材料系  吳威德老師

一種含有鈦鉻的合金硬化層,包含有鈦材料、鉻材料,且以銲覆技術融接在一鋼鐵基材的一表面。藉此,本發明可以利用含鈦及鉻的合金填料,大幅減少該合金硬化層的裂縫面積,有效提升該合金硬化層的性質。

閱讀詳細內容
共振消除殘留應力系統及其方法

材料系  吳威德老師

一種共振消除殘留應力系統及其方法,包含敲擊一工件的一震動器、量測該工件的振幅與頻率的一感測器,及一監控單元。該監控單元具有顯示該工件的振幅與頻率的一顯示幕,及控制該電磁式震動器連續對該工件施以一預定敲擊頻率的一控制器。藉此,在前述預定敲擊頻率下,使工件產生的主振動波達到共振點,就可以有效地消除該工件大部分的殘留應力。

閱讀詳細內容
以震動消除殘留應力的方法

材料系  吳威德老師

一種工件殘留應力的消除方法,主要是製備一可改變振動頻率的一振動器、一振動感測元件及與該感測元件連接的一示波裝置。該振動器是與一工件連結,可在振動過程中,將振波傳遞至該工件,使該工件產生共振。該感測元件是與該工件連結, 可量測振波的振幅與頻率,並顯示在該示波裝置上。使用時,只須調整該振動器的振動頻率,及由該示波裝置觀測並調整頻率,直到該工件的高頻振動波產生最大的振幅,就可以在該工件發生最大振幅的高頻振動時有效地消除大部分的殘留應力。

閱讀詳細內容
複頻共振單元

材料系  吳威德老師

一種複頻共振單元,抱含二個以上的震動器。該等震動器是設置在一工件的不同位置上,且分別可以在震動過程中,以不同頻率、不同方向的振波相互作用而產生高頻共振波,並傳遞至該工件。藉此,加強高頻共振波(即次波)的振動,並提昇殘留應力的消除效果。

閱讀詳細內容
含氮參雜石墨烯量子點的氨氣感測用三元複材及其製造方法

材料系  吳宗明老師

一種含氮參雜石墨烯量子點的氨氣感測用三元複材,其呈現纖維狀並由纖維內層至外層包含:一中空奈米氧化銦纖維;不連續披覆於該中空奈米纖維表層表面之一氮參雜石墨烯量子點中間層;以及連續披覆於該中空奈米氧化銦纖維與該氮參雜石墨烯量子點中間層的一聚苯胺高分子層;本發明使用靜電紡絲製造出氧化銦纖維並進行氮摻石墨烯量子點吸附方法加入碳材,以改善原本p型半導體聚苯胺與n型半導體氧化銦纖維之間p-n界面的電子傳導,作為兩者之間的改質層,並且提升氣體感測的響應的效能與速率。

閱讀詳細內容
具有多維度中空奈米結構之複合片體及其應用

材料系  吳宗明老師

一種具有中空奈米結構之複合片體,其包含:一維奈米中空線混合分散於高分子片體中,其中:該高分子片體具有可撓曲性;以及該一維奈米中空線之電特性低於該高分子片體,並使該具有中空奈米結構之複合片體的電特性介於該高分子片體之電特性與該一維奈米中空線之電特性之間;本發明之中空結構具備之質輕特性,製備具有中空奈米結構之複合材料片體,藉由具有可撓曲性之片體內部添加的一維中空材料達到結構輕量化與降低介電常數的目標,並同時達到可穿戴式電子元件需要可撓曲與彈性之需求。

閱讀詳細內容
氨氣感測用的三元複材及其應用

材料系  吳宗明老師

一種氨氣感測用的三元複材,其包含: 一帶狀奈米石墨烯0.1~49.9 %;一奈米金屬氧化物0.1~49.9 %;一導電高分子50~99%;其中: 先在該帶狀奈米石墨烯表面披覆該奈米金屬氧化物,再以該導電高分子包覆該帶狀奈米石墨烯與該奈米金屬氧化物,使該氨氣感測用的三元複材形成核殼狀結構;本發明可快速且高敏性地檢測氣體中的氨氣存在,並可應用於臨床醫師初步快篩檢測病患是否有糖尿病或類似泌尿系統問題,該氨氣感測材料可應用作為氨氣感測器,導入醫療檢測中快速篩檢受檢者是否患有糖尿病或類似之泌尿系統疾病,提供受檢者一種無痛、快速且非侵入式的篩檢方式。

閱讀詳細內容
具有多維度中空奈米結構之複合片體及其應用

材料系  吳宗明老師

一種具有多維度中空奈米結構之複合片體,其包含零維奈米中空球與一維奈米中空線分散於高分子片體中,該高分子片體具有可撓性;及該零維奈米中空球與該一維奈米中空線電特性低於該高分子片體,並使該具有多維度中空奈米結構之複合片體電特性介於該高分子片體的電特性與該零維奈米中空球、該一維奈米中空線之電特性之間;本發明之中空結構具備質輕特性,製備具有多維度中空奈米結構複合片體,藉由具可撓性片體添加零維及一維中空材料達到結構輕量化與降低介電常數目標,並同時達到可穿戴式電子元件可撓曲與彈性需求。

閱讀詳細內容
具有中空奈米結構之複合片體及其應用

材料系  吳宗明老師

一種具有中空奈米結構之複合片體,其包含:一維奈米中空線混合分散於高分子片體中,其中:該高分子片體具有可撓曲性;以及該一維奈米中空線之電特性低於該高分子片體,並使該具有中空奈米結構之複合片體的電特性介於該高分子片體之電特性與該一維奈米中空線之電特性之間;本發明之中空結構具備之質輕特性,製備具有中空奈米結構之複合材料片體,藉由具有可撓曲性之片體內部添加的一維中空材料達到結構輕量化與降低介電常數的目標,並同時達到可穿戴式電子元件需要可撓曲與彈性之需求。

閱讀詳細內容
具有中空奈米結構之複合片體及其應用

材料系  吳宗明老師

一種具有中空奈米結構之複合片體,其包含:一維奈米中空線混合分散於高分子片體中,其中:該高分子片體具有可撓曲性;以及該一維奈米中空線之電特性低於該高分子片體,並使該具有中空奈米結構之複合片體的電特性介於該高分子片體之電特性與該一維奈米中空線之電特性之間;本發明之中空結構具備之質輕特性,製備具有中空奈米結構之複合材料片體,藉由具有可撓曲性之片體內部添加的一維中空材料達到結構輕量化與降低介電常數的目標,並同時達到可穿戴式電子元件需要可撓曲與彈性之需求。

閱讀詳細內容
有機改質層狀苯基磷酸鋅、高分子/有機改質層狀苯基磷酸鋅複合材料及其應用

材料系  吳宗明老師

本發明是一種有機改質層狀苯基磷酸鋅,其包含一有機胺類高分子插層至層狀苯基磷酸鋅的層間距間,使該層狀苯基磷酸鋅的層間距增大至少2.5倍;本發明將層狀苯基磷酸鋅以有機胺類高分子加以改質後添加至有機塑料高分子中,可改善無機層狀苯基磷酸鋅與有機塑料高分子加工性不佳的問題,透過有機胺類改質有助於層狀苯基磷酸鋅於塑料高分子中的分散性,進而增加塑料高分子的機械性能,且塑料高分子的熱性質也因有機改質層狀苯基磷酸鋅的阻絕效應而得到提昇與改善,達到阻燃、耐燃的效果。

閱讀詳細內容
可延緩降解速率之高分子複合材料、其製造方法及其應用

材料系  吳宗明老師

一種可延緩降解速率之高分子複合材料之製造方法,其步驟包含:奈米化一纖維素結晶顆粒得一奈米化纖維素結晶顆粒;將己二酸丁二酯共聚物85wt%~95wt%、纖維素或其衍生物5wt%~15wt%以及該奈米化纖維素結晶顆粒0.5wt%~2wt% 融熔混練;本發明添加奈米化纖維素結晶顆粒於PBSA中,可增加其高分子機械操作特性,且材料來源為天然材料,使用後亦可在自然界中分解,避免造成環境破壞;本發明之CAB不易被環境中微生物酵素所分解,故CAB於融熔混練時會在PBSA全部或部分表面形成一保護層,達到延緩PBSA被環境

閱讀詳細內容
帶狀奈米石墨烯/聚吡咯奈米複合材料、其製造方法及超級電容

材料系  吳宗明老師

一種帶狀奈米石墨烯/聚吡咯奈米複材製造方法包含:將帶狀奈米石墨烯均勻分散於鹽酸溶液中形成一帶狀奈米石墨烯溶液;均勻分散十六烷基三甲基溴化銨於該帶狀奈米石墨烯溶液,均勻分散吡咯單體於該帶狀奈米石墨烯溶液得一帶狀奈米石墨烯/吡咯單體溶液;以及加入一起始劑於該帶狀奈米石墨烯/吡咯單體溶液進行聚合反應,反應後加入終止劑終止聚合反應,以去離子水清洗過濾產物,乾燥得本發明帶狀奈米石墨烯/聚吡咯奈米複材;本發明利用導電高分子聚吡咯高穩定性、合成簡單、單體成本低廉及環境影響小之種種優點,創造出優異的超級電容。

閱讀詳細內容
高層間距的鎂鋁層狀雙氫氧化物、利用高層間距的鎂鋁層狀雙氫氧化物改質之聚己二酸二丁酯奈米複材及其製造方法

材料系  吳宗明老師

本發明進一步為一種高層間距的鎂鋁層狀雙氫氧化物,其為鎂鋁層狀雙氫氧化物之層間距為插層有一油酸分子與一山梨醇分子之層狀結構;其繞射峰2θ=1.4°;其插層量為41.9%;以及其層間距為5.88nm;本發明藉由添加無機奈米材料製成有機無機奈米複合材料,改善PBA熔點不高且熱穩定性等性質差之特性,提升其應用範圍,進而解決傳統塑膠廢棄物在環境中的污染。

閱讀詳細內容
聚乳酸複合材料及其製造方法

材料系  吳宗明老師

一種聚乳酸複合材料及其製造方法,該聚乳酸複合材料係包含一聚乳酸材料以及一經偶合劑改質之有機蒙脫土,該有機蒙脫土係嫁接於該聚乳酸材料之主鏈上,藉此有機蒙脫土可與聚乳酸材料形成良好的結合,並且有效改善聚乳酸材料的機械性質及熱性質等。

閱讀詳細內容
生物支架

材料系  吳宗明老師

一種生物支架,其係包含經一交聯劑加以交聯處理的可降解生物載體材料,其中該交聯劑係含有一具有下式的合成試劑:(圖省略)

閱讀詳細內容
太陽能吸收裝置

材料系  呂福興老師

本發明係一種太陽能吸收裝置,由一基材與一太陽能吸收膜所組成,該太陽能吸收膜具有一底面與一頂面,該底面係與該基材連接,該頂面則相背與該底面,該太陽能吸收膜之成份為TiN xOy,由該底面至該頂面,x由1變至0.1,y由0.2變至2;藉此,該太陽能吸收裝置不僅結構單純、製程快速,而且成本低廉,極具市場競爭潛力。

閱讀詳細內容
太陽能吸收裝置

材料系  呂福興老師

本發明係一種太陽能吸收裝置,由一基材與一太陽能吸收膜所組成,該太陽能吸收膜具有一底面與一頂面,該底面係與該基材連接,該頂面則相背與該底面,該太陽能吸收膜之成份為TiN xOy,由該底面至該頂面,x由1變至0.1,y由0.2變至2;藉此,該太陽能吸收裝置不僅結構單純、製程快速,而且成本低廉,極具市場競爭潛力。

閱讀詳細內容
製備金屬氮化物膜之方法

材料系  呂福興老師

一種製備金屬氮化物膜之方法,係先將一靶材與一基材置入一真空腔體中,該靶材係由鈦或鋯所製成;接著,再利用濺鍍法於該基材表面形成一金屬氮化物膜,該金屬氮化物膜係氮化鈦膜或氮化鋯膜,其中,真空腔體之工作壓力固定於5×10-4~5×10-2 torr,通入空氣與氬氣於該真空腔體中,空氣/氬氣之流量比為(5~15)/100,以一電源供應器提供輸出功率為100~5000 W之直流電,由於空氣之取得極為方便,且背景真空度之要求較習知方法為低,使本發明所提供之方法具有設備簡易、製程快速、成本低廉等優點。

閱讀詳細內容
電沈積銅奈米粒子之方法

材料系  呂福興老師

本發明提供一種電沈積銅奈米粒子之方法,其包括下列步驟:(A)提供一電沈積反應系統,該電沈積反應系統包括一電解液、一置於電解液中的導電氮化物膜作為工作電極、一置於電解液中的銅金屬或銅合金作為輔助電極、以及一置於電解液中的參考電極;以及(B)施加脈衝電壓於該電沈積反應系統,使該導電氮化物膜表面形成銅奈米粒子。

閱讀詳細內容
電沈積銅奈米粒子之方法

材料系  呂福興老師

本發明提供一種電沈積銅奈米粒子之方法,其包括下列步驟:(A)提供一電沈積反應系統,該電沈積反應系統包括一電解液、一置於電解液中的導電氮化物膜作為工作電極、一置於電解液中的銅金屬或銅合金作為輔助電極、以及一置於電解液中的參考電極;以及(B)施加脈衝電壓於該電沈積反應系統,使該導電氮化物膜表面形成銅奈米粒子。

閱讀詳細內容
利用電漿電解氧化製備氧化物膜的方法

材料系  呂福興老師

本發明有關於一種利用電漿電解氧化製備氧化物膜的方法,其係先將一陽極以及一陰極置入一電解質溶液中,其中該陽極為具有導電氮化物膜的基材,而該電解質溶液的溫度範圍大於20℃且小於100℃,接著再將50 V至1000 V的電壓施加於該陽極以及該陰極,最終在該陽極的導電氮化物膜的表面形成一氧化物膜。相較於習用製備氧化物膜的方法,本發明不僅能夠更快速地製得氧化物膜,且製得之氧化物膜的結晶性較佳。

閱讀詳細內容
製備金屬氮化物膜之方法

材料系  呂福興老師

本發明是以物理氣相沈積法,利用空氣(air )取代純氮氣(N2),與氬氣(Ar)一起,在電漿環境下,控制不同的氬氣(Ar)與空氣(air)的比值,製備出金屬氮化物(MNx)薄膜,本發明能有效降低設備與製程成本,將使其金屬氮化物(MNx)薄膜應用更為廣泛。 以氮化鈦(TiNx)或氮化鋯(ZrNx)而言,在電漿環境下,背景壓力只需抽1~3分鐘,即可進行製備。而使用空氣(air)作為反應性氣體,以適當的air/Ar比例,所鍍著之薄膜,經X光繞射儀與特性檢定,確定能成功製備出氮化薄膜。

閱讀詳細內容
製備金屬氮氧化物膜之方法

材料系  呂福興老師

一種製備金屬氮氧化物膜之方法,係先將一金屬靶材與一基材置入一真空腔體中,該金屬靶材係由鈦、鋯、鉻或其合金所製成,並將背景壓力保持在5×10-6~5×10-2 torr;接著,利用物理氣相沈積法於該基材表面形成一金屬氮氧化物膜,沈積時該真空腔體之工作壓力保持於5×10-4~5×10-2 torr,並將空氣與氬氣通入該真空腔體中,其中空氣/氬氣之流量比為(12~70)/100;由於空氣之取得較純氧與純氮方便得多,且背景真空度之要求較習知方法為低,使本發明所提供之方法具有設備簡易、製程快速、成本低廉等多重優點。

閱讀詳細內容
半導體裝置和其製造方法

材料系  宋振銘老師

本發明涉及種用於製造半導體裝置的方法。所述方法包含:提供包含第金屬接點的第電子元件和包含第二金屬接點的第二電子元件,改變所述第金屬接點的晶格,以及在預定壓力和預定溫度下將所述第金屬接點接合到所述第二金屬接點。

閱讀詳細內容
半導體元件接合方法

材料系  宋振銘老師

本發明涉及種用於製造半導體裝置的方法。所述方法包含:提供包含第金屬接點的第電子元件和包含第二金屬接點的第二電子元件,改變所述第金屬接點的晶格,以及在預定壓力和預定溫度下將所述第金屬接點接合到所述第二金屬接點。

閱讀詳細內容
非鍍式銅及銅合金表面改質的方法

材料系  宋振銘老師

一種非鍍式銅及銅合金表面改質的方法,包含一氧化前處理步驟及一低溫粗糙多孔化步驟。該氧化前處理步驟是對一包括銅的待處理物加熱,使該待處理物的表面產生一氧化層。該低溫粗糙多孔化步驟是加熱一包括有機酸氣體的混合氣體,並讓經加熱的該混合氣體經鉑催化而噴向該待處理物的該氧化層,以還原該氧化層而形成一粗糙多孔銅表面。本發明先執行該氧化前處理步驟再進行該低溫粗糙多孔化步驟,能快速改質該待處理物,有別於其他表面改質方法需要濺鍍、蒸鍍,或機械加工等繁複的製程。

閱讀詳細內容
具有複合結構的接合材料

材料系  宋振銘老師

一種具有複合結構的接合材料,經燒結後可用以進行二物件的接合,包含一核心,及多個環繞該核心的奈米粒子,該核心由金屬材料構成且平均粒徑不大於1000 nm,而該等奈米粒子由金屬材料構成且可與該核心的金屬材料相同或不同,其中,該核心的粒徑為該等奈米粒子的粒徑的10倍以上。

閱讀詳細內容
二氧化鈦多孔性材料、其製備方法及應用其之污水處理方法

材料系  曾文甲老師

本發明提供一種二氧化鈦粒子多孔性材料的製備方法,其先提供複數個二氧化鈦粒子,且各二氧化鈦粒子包含複數個為中孔結構之第一孔洞。接著,進行表面改質步驟使界面活性劑結合至各二氧化鈦粒子之部分表面,再將改質後之二氧化鈦粒子導入水中形成懸浮液並使懸浮液發泡而形成泡沫體。最後,將泡沫體置入模具中乾燥形成胚體,再鍛燒胚體以製得二氧化鈦多孔性材料。藉此,本發明製得之二氧化鈦多孔性材料具有高孔隙率,將其作為吸油材料時具有高吸油效果。此外,本發明之二氧化鈦多孔性材料的機械強度佳且可重複使用,而可有效應用於處理污水。

閱讀詳細內容
奈米異質結構、其製備方法及應用其之氣體感測器

材料系  曾文甲老師

本發明提供一種奈米異質結構,其包含第一奈米結構以及設置於前述第一奈米結構之表面上的複數個第二奈米結構。第一奈米結構具有一長軸方向與一短軸方向,且第一奈米結構於短軸方向上之截面積係沿著長軸方向漸縮。其中第一奈米結構包含n型半導體材料,而前述第二奈米結構包含p型半導體材料。藉此,相較於單一材質結構之氣體感測感測器,第一奈米結構與第二奈米結構間所形成之p-n接面與高比表面積等優點提升本發明提供之奈米異質結構於室溫下之氣體感測靈敏度,且前述奈米異質結構所應用之氣體感測器的氣感特性不易受濕度環境的影響。

閱讀詳細內容
填充砂粒

材料系  曾文甲老師

一種用於填充盛鋼桶之填充砂粒,可使鋼液在盛鋼桶出鋼嘴之滑門開啟後自然開口流過。填充砂粒包含核心粉粒以及殼層。核心粉粒之材質包含碳化矽礦砂。殼層包覆於核心粉粒外,殼層之材質包含氧化矽,其中殼層易與鋼液反應形成燒結層。

閱讀詳細內容
具蝕刻通道的磊晶結構及其製造方法

材料系  林佳鋒老師

一種具蝕刻通道的磊晶結構包含一基板、一形成於該基板的緩衝犧牲層,及一形成於該緩衝犧牲層的磊晶層,該基板包括複數條自一頂面向下凹設的蝕刻通道,對應每一蝕刻通道還包括兩面界定該等蝕刻通道的斜面,該緩衝犧牲層包括複數分別形成於該基板頂面上的緩衝犧牲塊體,該磊晶層形成於該緩衝犧牲層上且蓋於該等蝕刻通道上,該磊晶層的底面與該等斜面共同圍繞界定呈倒三角形的蝕刻通道利用該等呈倒三角形的蝕刻通道,供濕式蝕刻溶液通入,以更快速地蝕刻該緩衝犧牲層,進而提高自該磊晶層移除該基板的效率。

閱讀詳細內容
阻焰薄膜及其製備方法

材料系  林江珍老師

本發明係提供一種阻焰薄膜及其製備方法。主要係將無機矽酸鹽黏土或其脫層形式之奈米矽片與一溶劑混合,形成一分散溶液;再使該分散溶液於一表面乾燥以除去該溶劑,並形成全無機之可撓曲薄膜,厚度約為5μm至1,000μm。該阻焰薄膜具有排列整齊之結構;於800℃火焰中70分鐘,仍無著火現象,並可保持結構完整。該阻焰薄膜亦可混掺一高分子化合物,或與一高分子化合物之薄膜或金屬膜結合形成一複合膜。

閱讀詳細內容
具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置

材料系  武東星老師

一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置,用於控制多種電器產品,包含框架、設置於框架中的主電路板,及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組,及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時,能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組,以維持按鍵組件的運作功能。

閱讀詳細內容
具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置

材料系  武東星老師

一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置,用於控制多種電器產品,包含框架、設置於框架中的主電路板,及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組,及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時,能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組,以維持按鍵組件的運作功能。

閱讀詳細內容
大面積被動式微發光二極體陣列顯示器

材料系  武東星老師

一種大面積被動式微發光二極體陣列顯示器,包括數各具基板、微發光陣列及陣列用絕緣層的微發光二極體陣列,及具載板、數第一、二外部線路、線路用絕緣層及電性鍵合單元的外部線路組件。微發光陣列沿Y方向間隔佈滿基板表面,且沿X方向各具延伸於表面的第一層、數發光層、數第二層、設於第一層的第一內電極層及數設於各第二層的第二內電極層。各第一內電極層具間隔圍繞各發光層的基部及自基部背向表面凸出的凸部。陣列用絕緣層覆蓋微發光陣列以裸露出各凸部與各第二內電極層。微發光二極體陣列比鄰並間隔配置且各凸部與第二內電極層鍵合於電性鍵合單元。

閱讀詳細內容
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置

材料系  武東星老師

亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層,更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第一、二內電極層。外部線路組件包括面向基板的載板、各沿Y、X方向間隔並沿X、Y方向延伸於載板的第一、二外部線路、裸露出第一、二外部線路的線路用絕緣層及鍵合於第一、二外部線路與第一、二內電極層的電性鍵合單元。

閱讀詳細內容
大面積被動式微發光二極體陣列顯示器

材料系  武東星老師

一種大面積被動式微發光二極體陣列顯示器,包括數各具基板、微發光陣列及陣列用絕緣層的微發光二極體陣列,及具載板、數第一、二外部線路、線路用絕緣層及電性鍵合單元的外部線路組件。微發光陣列沿Y方向間隔佈滿基板表面,且沿X方向各具延伸於表面的第一層、數發光層、數第二層、設於第一層的第一內電極層及數設於各第二層的第二內電極層。各第一內電極層具間隔圍繞各發光層的基部及自基部背向表面凸出的凸部。陣列用絕緣層覆蓋微發光陣列以裸露出各凸部與各第二內電極層。微發光二極體陣列比鄰並間隔配置且各凸部與第二內電極層鍵合於電性鍵合單元。

閱讀詳細內容
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置

材料系  武東星老師

亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層,更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第一、二內電極層。外部線路組件包括面向基板的載板、各沿Y、X方向間隔並沿X、Y方向延伸於載板的第一、二外部線路、裸露出第一、二外部線路的線路用絕緣層及鍵合於第一、二外部線路與

閱讀詳細內容
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置

材料系  武東星老師

亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層,更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第一、二內電極層。外部線路組件包括面向基板的載板、各沿Y、X方向間隔並沿X、Y方向延伸於載板的第一、二外部線路、裸露出第一、二外部線路的線路用絕緣層及鍵合於第一、二外部線路與第一、二內電極層的電性鍵合單元。

閱讀詳細內容
磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件

材料系  武東星老師

一種磊晶層的修復方法,包含準備步驟、升溫步驟、霧化步驟,及修復步驟。首先,準備步驟是準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體,及一具有一腔室的退火裝置,接著執行升溫步驟,對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫度,並透過霧化步驟霧化該工作液體並輸入經升溫的該腔室中,最後修復步驟是將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層的該光電元件設置於該腔室中,以讓經霧化的該工作液體修復該磊晶層。此外,本發明還提供一種使用前述方法製成的光電元件。

閱讀詳細內容
磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件

材料系  武東星老師

一種磊晶層的修復方法,包含準備步驟、升溫步驟、霧化步驟,及修復步驟。首先,準備步驟是準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體,及一具有一腔室的退火裝置,接著執行升溫步驟,對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫度,並透過霧化步驟霧化該工作液體並輸入經升溫的該腔室中,最後修復步驟是將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層的該光電元件設置於該腔室中,以讓經霧化的該工作液體修復該磊晶層。此外,本發明還提供一種使用前述方法製成的光電元件。

閱讀詳細內容
發光二極體之發光波段的調變方法

材料系  武東星老師

一種發光二極體之發光波段的調變方法,依序包含(a)對一磊製於一磊晶基板上的一發光二極體中的第二型半導體層施予一含有複數帶電離子之電漿處理,令該第二型半導體層的一表面上接合有部分該等帶電離子;(b)在該第二型半導體層的該表面上塗佈一含有複數奈米金屬粒子之溶液,令該等奈米金屬粒子堆疊於該第二半導體層的該表面上;(c)乾燥該溶液;及(d)在該等奈米金屬粒子上沉積一導電性金屬氧化層。該第二型半導體層上所接合的部分該等帶電離子協同該等奈米金屬粒子及該導電性金屬氧化層足以令該發光二極體的一發光波段產生偏移。

閱讀詳細內容
高光萃取率的發光二極管、導電膜,及導電膜的製作方法

材料系  武東星老師

本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極管,包含一個基板,一個形成在該基板的發光單元,一個形成在該發光單元的導電膜,及兩個分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。該導電膜包括一個能導電且透光的膜本體,及一個形成於該膜本體的堆棧結構。該堆棧結構由多個納米粒子週期性地排列堆棧,且所述納米粒子其中的多個與該膜本體的組成結構形成多個堆棧物,借該堆棧結構或所述堆棧物,與該發光單元間引發表面電漿共振而大幅提升發光二極管整體的光萃取率。本發明還提供該導電膜的製作方法。

閱讀詳細內容
高光萃取率的發光二極體、導電膜,及導電膜的製作方法

材料系  武東星老師

本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極體,包含一基板、一形成在該基板的發光單元、一形成在該發光單元的導電膜,及二分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。特別地,該導電膜包括一能導電且透光的膜本體,及一形成於該膜本體的堆疊結構。該堆疊結構由複數奈米粒子週期性地排列堆疊,且該等奈米粒子其中之多數與該膜本體的組成結構形成複數堆疊物,藉該堆疊結構或該等堆疊物,與該發光單元間引發表面電漿共振而大幅提昇發光二極體整體的光萃取率。本發明還提供該導電膜的製作方法。

閱讀詳細內容
高光萃取率的發光二極體、導電膜,及導電膜的製作方法

材料系  武東星老師

本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極體,包含一基板、一形成在該基板的發光單元、一形成在該發光單元的導電膜,及二分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。特別地,該導電膜包括一能導電且透光的膜本體,及一形成於該膜本體的堆疊結構。該堆疊結構由複數奈米粒子週期性地排列堆疊,且該等奈米粒子其中之多數與該膜本體的組成結構形成複數堆疊物,藉該堆疊結構或該等堆疊物,與該發光單元間引發表面電漿共振而大幅提昇發光二極體整體的光萃取率。本發明還提供該導電膜的製作方法。

閱讀詳細內容
發光二極體

材料系  武東星老師

一種發光二極體,包含:一個磊晶基材、一層發光層、一層電子穿隧層、一層電流擴散層,及一個電極單元,其特徵在於該電子穿隧層選自AlxIn1-xN,0<x<1為材料所構成且厚度不大於20nm,藉由該電子穿隧層的材料選擇及厚度控制,令電子可藉由穿隧效應,自該電流擴散層歐姆傳遞至該電子穿隧層,而可有效使得自該電流擴散層的電流可經由該電子穿隧層均勻且有效率的注入至該發光層,而可提升該發光二極體的發光效率。

閱讀詳細內容
發光二極體

材料系  武東星老師

一種發光二極體,包含:一個磊晶基材、一層發光層、一層電子穿隧層、一層電流擴散層,及一個電極單元,其特徵在於該電子穿隧層選自 AlxIn1-xN,0<x<1 為材料所構成且厚度不大於 20nm,藉由該電子穿隧層的材料選擇及厚度控制,令電子可藉由穿隧效應,自該電流擴散層傳遞至該電子穿隧層,而可有效使得自該電流擴散層的電流可經由該電子穿隧層均勻且有效率的注入至該發光層,而可提升該發光二極體的發光效率。

閱讀詳細內容
垂直導通式發光二極體的製作方法及其製品

材料系  武東星老師

垂直導通式發光二極體包含:磊晶基板、磊晶膜層結構、第一電極、反射層、第二電極層及散熱層。磊晶基板具第一、二板本體及鍵合於各板本體之第一表面間的黏結層。第一板本體具貫穿其第一表面及遠離黏結層的第二表面的內圍繞面。黏結層與第二板本體各具內環面。磊晶膜層結構形成於第二板本體之遠離黏結層的第二表面,並具導電性GaN層及內環面。內圍繞面與各內環面共同界定一空腔並裸露導電性GaN層於空腔外。第一電極形成於磊晶膜層結構。反射層覆蓋導電性GaN層。第二電極層覆蓋反射層、各內環面、內圍繞面及其第二表面。散熱層覆蓋第二電極層。

閱讀詳細內容
磊晶基板的製作方法

材料系  武東星老師

本發明提供一種磊晶基板的製作方法,是用以於其上成長一磊晶膜層結構以構成一垂直導通式發光二極體,該磊晶膜層結構是由一以氮化鎵為主的材料所構成。該製作方法包含:(a)於一第一單晶板本體的一第一表面形成一第一鍵合層;(b)於一第二單晶板本體的一第一表面形成一第二鍵合層;(c)以熱壓法使該第一鍵合層與該第二鍵合層鍵合在一起並從而形成一黏結層;及(d)於該步驟(c)後,自該第二單晶板本體之一相反於其第一表面的第二表面薄化第二單晶板本體,第二單晶板本體的第二表面是用以成長該磊晶膜層結構。

閱讀詳細內容
固態發光結構的製造方法

材料系  武東星老師

一種固態發光結構的製造方法,先在第一基板上形成氮化鎵系材料無法磊晶成長的犧牲層,再移除部分犧牲層的結構得到圖案化的犧牲層結構;然後以朝三維方向成長的磊晶生長自第一基板的預定區域形成由氮化鎵系材料構成的第一半導體結構、以朝橫向成長速度較快的磊晶生長自第一半導體結構向上形成第二半導體層、和由第二半導體層向上成長供電時發光的發光晶體層;在發光晶體層表面接合上第二基板後移除犧牲層結構形成蝕刻通道,再經由蝕刻通道移除第一基板、第二半導體層後,即製得連結在第二基板與發光晶體層的固態發光結構。

閱讀詳細內容
磊晶用基板

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜,及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜,犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道,每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道,濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中,進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

閱讀詳細內容
磊晶用基板

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜,及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜,犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道,每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道,濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中,進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

閱讀詳細內容
光電元件之磊晶基板的分離方法

材料系  武東星老師

本發明提供光電元件之磊晶基板的分離方法,先於磊晶基材上形成具有多數間隔之膜體結構的犧牲膜後側向磊晶形成磊晶層,接著在磊晶層上形成將磊晶層定義出多數具有頂面之磊晶膜的遮罩層,再利用遮罩層的分隔自每一頂面向上形成與磊晶膜電連接的導電基塊,然後移除遮罩層並繼續移除對應於遮罩層的磊晶層層體結構,再濕蝕刻移除犧牲膜以及磊晶膜與磊晶基材連接處,即可讓磊晶層與磊晶基材分離得到多數具有粗糙面的光電元件半成品,最後於每一光電元件半成品上設置電極,即製得多數光電元件。

閱讀詳細內容
低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法:先自一晶格不匹配的基材側向磊晶,形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層,再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻,將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞,使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面,該等第一凹洞的徑寬彼此相近,然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層,以阻隔差排向上延伸,再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層,至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦,而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

閱讀詳細內容
低表面缺陷密度之磊晶基板

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊,該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配,包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞,及一圍繞界定該等第一凹洞的磊晶層表面,該等第一凹洞是藉由濕式蝕刻劑對該第一磊晶層進行缺陷選擇性蝕刻形成,該等第一凹洞的孔徑寬度大小相近,該等阻擋塊移除速率不同於該第一磊晶層,該等阻擋塊分別填於每一第一凹洞中,以阻擋缺陷繼續延伸,且該等阻擋塊與該磊晶層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面,以提高磊晶品質。

閱讀詳細內容
低表面缺陷密度之磊晶基板及其製造方法

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法:先自一晶格不匹配的基材側向磊晶,形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層,再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻,將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞,使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面,該等第一凹洞的徑寬彼此相近,然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層,以阻隔差排向上延伸,再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層,至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦,而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

閱讀詳細內容
低表面缺陷密度之磊晶基板之製造方法

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法:先自一晶格不匹配的基材側向磊晶,形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層,再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻,將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞,使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面,該等第一凹洞的徑寬彼此相近,然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層,以阻隔差排向上延伸,再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層,至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦,而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

閱讀詳細內容
磊晶基板的製造方法

材料系  武東星老師

一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟:先形成一圖樣化膜層於一基板上,使基板露出部分預定區域,接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層,然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩,將光阻圖樣化進而形成複數第一凹洞於第一磊晶層,利用複數阻擋塊填滿第一凹洞,再自第一磊晶層與阻擋塊共同構成的平面磊晶形成一第二磊晶層,接續蝕刻移除阻擋塊與該圖樣化膜層,弱化該第一磊晶層的結構,以利蝕刻移除第一磊晶膜並將基板自第二磊晶膜剝離,利用弱化結構的第一磊晶膜有效提高移除效率。

閱讀詳細內容
磊晶基板的製造方法

材料系  武東星老師

一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟:首先形成一圖樣化膜層於一基板上,並繼續形成一第一磊晶層,接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域,進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間,再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層,接續地蝕刻移除圖樣化膜層,弱化第一磊晶層的結構,以利蝕刻移除該第一磊晶膜,最後蝕刻移除液化犧牲膜,以將基板自第二磊晶膜剝離,有效提高移除效率。

閱讀詳細內容
光電元件之磊晶基板的分離方法

材料系  武東星老師

一種用於將盛鋼桶鋼液自流鋼嘴自然開口流出之填充砂粒結構。填充砂粒結構至少包含核心粉粒與殼層。殼層覆於核心粉粒外,且殼層之熔點低於核心粉粒之熔點或殼層與鋼業之共晶點溫度,或者是,殼層與鋼液之共晶點溫度低於核心粉粒之熔點。核心粉粒為鉻礦砂、鋁礦砂、鋯礦砂、鎂礦砂、矽礦砂或上述任意組合。殼層材質為矽礦砂、鐵礦砂、鈣礦砂、鈉礦砂、鉀礦砂、鋁礦砂、鎂礦砂或上述任意組合。

閱讀詳細內容
磊晶用基板及其製作方法

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板,包含一頂面,及複數自該頂面向下延伸的晶面,其中,每 n 個晶面構 成一角錐形的凹孔,n 是不小於 3 的正整數,每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一 最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於 500nm,當使用本發明進行磊晶 時,是自該等晶面成核後成長並聚集,而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成 長,而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體,進而提升以此磊晶用基板製作出的元件 的工作效能。

閱讀詳細內容
具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,製備一第一基板,接著,於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層,該氧化鎵犧牲層滿足GaOx,其中0.1<x≦0.6,而後,於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層,利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能,而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱,為非晶體結構,因此該氧化鎵犧牲層容易被移除,提高整體製程效率。

閱讀詳細內容
具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,製備一第一基板,接著,於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層,該氧化鎵犧牲層滿足GaOx,其中0.1<x≦0.6,而後,於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層,利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能,而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱,為非晶體結構,因此該氧化鎵犧牲層容易被移除,提高整體製程效率。

閱讀詳細內容
具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,於第一基板上成長一圖樣化犧牲層,該第一基板部分面積露出,未受該圖樣化犧牲層遮蓋,接著,於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上,側向磊晶成長一暫時磊晶層,而後,於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層,再來,於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層,透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方,因此,後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時,不至過度蝕刻該磊晶結構層,進而維持光電元件品質。

閱讀詳細內容
具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,於第一基板上成長一圖樣化犧牲層,該第一基板部分面積露出,未受該圖樣化犧牲層遮蓋,接著,於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上,側向磊晶成長一暫時磊晶層,而後,於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層,再來,於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層,透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方,因此,後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時,不至過度蝕刻該磊晶結構層,進而維持光電元件品質。

閱讀詳細內容
具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,於第一基板上成長一圖樣化犧牲層,該第一基板部分面積露出,未受該圖樣化犧牲層遮蓋,接著,於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上,側向磊晶成長一暫時磊晶層,而後,於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層,再來,於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層,透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方,因此,後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時,不至過度蝕刻該磊晶結構層,進而維持光電元件品質。

閱讀詳細內容
磊晶元件的製作方法

材料系  武東星老師

一種磊晶元件的製作方法,包含:(a)於磊晶用基板上形成犧牲膜;(b)將犧牲膜定義出犧牲結構,並在移除犧牲膜的部分結構時使基板裸露出的區域具有多數彼此相連結的凸部與凹部;(c)於犧牲結構與凸部向上磊晶形成底面與該些凹部形成間隙的磊晶層體;(d)自磊晶層體上形成導電基材,及將導電基材、磊晶層體定義出多數磊晶元件的圖樣流道;及(e)經圖樣流道與間隙蝕刻移除犧牲結構並讓磊晶元件與基板分離,得到多數磊晶元件。

閱讀詳細內容
圖案化基板及其構成的發光二極體

材料系  武東星老師

一種圖案化基板,由藍寶石為主要材料,且具有一頂面、複數由該頂面往下延伸且間隔排列的圍繞面、複數分別連結圍繞面下緣的基面,及複數分別自每一基面向上形成的凸柱,以該圖案化基板向上磊晶形成於供電時發光的磊晶層體,及設置供電的電極單元而成的發光二極體,因該圖案化基板的圍繞面、基面與凸柱的配合,可得到較佳磊晶品質的磊晶層體,並可以改變該磊晶層體發出並向該圖案化基板方向行進的光的行進方向,而有效提升發光二極體正向發光亮度。

閱讀詳細內容
磊晶用基板及其製作方法

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板,包含一頂面,及複數自該頂面向下延伸的晶面,其中,每n個晶面構成一角錐形的凹孔,n是不小於3的正整數,每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於500nm,當使用本發明進行磊晶時,是自該等晶面成核後成長並聚集,而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成長,而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體,進而提升以此磊晶用基板製作出的元件的工作效能。

閱讀詳細內容
具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,於一第一基板上成長一圖樣化犧牲層,該第一基板部分面積露出,未受該圖樣化犧牲層遮蓋,接著,於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上,側向磊晶成長一暫時磊晶層,而後,於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層,再來,於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層,透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方,因此,後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時,不至過度蝕刻該磊晶結構層,進而維持光電元件品質。

閱讀詳細內容
磊晶元件的製作方法

材料系  武東星老師

一種磊晶元件的製作方法,包含:(a)於磊晶用基板上形成犧牲膜;(b)將犧牲膜定義出犧牲結構,並在移除犧牲膜的部分結構時使基板裸露出的區域具有多數彼此相連結的凸部與凹部;(c)於犧牲結構與凸部向上磊晶形成底面與該些凹部形成間隙的磊晶層體;(d)自磊晶層體上形成導電基材,及將導電基材、磊晶層體定義出多數磊晶元件的圖樣流道;及(e)經圖樣流道與間隙蝕刻移除犧牲結構並讓磊晶元件與基板分離,得到多數磊晶元件。

閱讀詳細內容
磊晶用基板的製造方法

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板的製造方法,包含以下步驟製備一磊晶用基材,並自基材沉積一犧牲膜,接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜,基材在發光元件的後續製程將被移除,犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材料構成的膜區,膜區具有複數形成於奈米材料間的第二通道,藉由第一、二通道讓蝕刻劑快速通入並蝕刻犧牲膜,進而有效降低移除基材的工時。

閱讀詳細內容
發光元件模組的製作方法

材料系  武東星老師

一種發光元件模組的製作方法,包含(a)準備磊晶用基材,(b)在基材表面形成犧牲層,(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層,(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的導流溝,(e)將永久基板設置在該等發光單元上,且將導流溝形成導流道(f)將蝕刻劑通入該等導流道中蝕刻移除犧牲層,而使基材與該等發光單元分離,製得發光元件模組。

閱讀詳細內容
光電元件的製造方法

材料系  武東星老師

一種光電元件的製造方法,是先自一基材形成一犧牲膜,且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道,接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜,並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後,將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻犧牲膜,使基材與光電半導體磊晶膜分離,由於在成長光電半導體磊晶膜前即完成通道的製作,以保持基板完整使其能重複使用,且省去多餘的貼合工時,並維持快速蝕刻移除犧牲膜的功效。

閱讀詳細內容
磊晶用基板

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜,及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜,犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道,每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道,濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中,進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

閱讀詳細內容
低表面缺陷密度之磊晶基板

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊,該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配,包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞,及一圍繞界定該等第一凹洞的磊晶層表面,該等第一凹洞是藉由濕式蝕刻劑對該第一磊晶層進行缺陷選擇性蝕刻形成,該等第一凹洞的孔徑寬度大小相近,該等阻擋塊移除速率不同於該第一磊晶層,該等阻擋塊分別填於每一第一凹洞中,以阻擋缺陷繼續延伸,且該等阻擋塊與該磊晶層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面,以提高磊晶品質。

閱讀詳細內容
低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法:先自一晶格不匹配的基材側向磊晶,形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層,再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻,將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞,使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面,該等第一凹洞的徑寬彼此相近,然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層,以阻隔差排向上延伸,再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層,至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦,而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

閱讀詳細內容
高光取出率之固態發光元件

材料系  武東星老師

本發明提供一種高光取出率之固態發光元件,包含:一圖案化藍寶石單晶基材、一疊置於該圖案化藍寶石單晶基材並為六方晶系的緩衝層,及一疊置於該緩衝層的固態發光件。該圖案化藍寶石單晶基材具有複數凹槽定義面以定義出複數凹槽。每一凹槽定義面具有三依序連接的傾斜側面部或四依序連接的傾斜側面部。該緩衝層具有一連接該圖案化藍寶石單晶基材的第一層區及複數分別填置於該等凹槽內的第二層區。

閱讀詳細內容
高效能熱電材料

材料系  汪俊延老師

本發明係一種高效能熱電材料,包含有一鎂錫矽銻合金與一鎂鐵氧化物,該高效能熱電材料係由該鎂錫矽銻合金之粉末與該鎂鐵氧化物之粉末混合後燒結在一起,藉此,該高效能熱電材料具有較高的熱電優質,可有效提升熱電轉換之效率。

閱讀詳細內容
不鏽鋼表面披覆層狀雙金屬氫氧化物之方法

材料系  汪俊延老師

本發明提供一種不鏽鋼表面披覆層狀雙金屬氫氧化物之方法,利用噴砂的方式,使不鏽鋼表面奈米粗糙化,即可提供層狀雙金屬氫氧化物較佳的生長界面,並利用電沉積法,在不鏽鋼表面上成長高比表面積的層狀雙金屬氫氧化物,作為良好的觸媒載體。

閱讀詳細內容
層狀雙金屬氫氧化物表面披覆觸媒之方法

材料系  汪俊延老師

本發明提供一種層狀雙金屬氫氧化物表面披覆觸媒之方法,其載體可不需經高溫鍛燒處理,而是藉由碳酸鎳所配製的鍍液,並預先通以氬氣來調整pH值至7.2±0.03後,再將層狀雙金屬氫氧化物浸入鍍液中,並進行氫氣還原處理,即可於層狀雙金屬氫氧化物表面披覆鎳觸媒。

閱讀詳細內容
純矽溶解於液態鎂的方法以及鎂基熱電材料的製備方法

材料系  汪俊延老師

本發明提供一種純矽溶解於液態鎂的方法,其包含提供一金屬原料、提供一金屬原料堆疊順序以及提供一熔煉製程步驟。金屬原料包含一含鎂材料、一含矽材料、一含錫材料以及一含銻材料。金屬原料堆疊順序係將含矽材料、含錫材料、含銻材料以及含鎂材料分別依序由底層往上堆疊於一坩鍋中。熔煉製程步驟係將含有金屬原料之坩鍋置於一高週波熔煉爐中,並加熱熔解金屬原料,以形成一混合液體原料。藉此,本發明可藉由金屬原料的堆疊順序,解決金屬原料之間熔點差異大的問題,並用以製備鎂基熱電材料。

閱讀詳細內容
陽離子結合劑及包含其之醫藥組合物

材料系  汪俊延老師

本發明提供一種用於治療患有或易患高磷血症病人的醫藥組合物,其含有Mg-Fe-Cl HTln。在一實施例中,Mg-Fe-Cl HTln如式(I)所示。此醫藥組合物的磷吸納力大於 。本發明還提供經由使用此醫藥組合物來治療患有或易患高磷血症的病人的方法。 本發明還提供製造此醫藥組合物的方法。

閱讀詳細內容
陽離子結合劑及包含其之醫藥組合物

材料系  汪俊延老師

本發明提供一種用於治療患有或易患高磷血症病人的醫藥組合物,其含有Mg-Fe-Cl HTln。在一實施例中,Mg-Fe-Cl HTln如式(I)所示。此醫藥組合物的磷吸納力大於 。本發明還提供經由使用此醫藥組合物來治療患有或易患高磷血症的病人的方法。 本發明還提供製造此醫藥組合物的方法。

閱讀詳細內容
熔融鋼液之脫硫方法

材料系  汪俊延老師

一種熔融鋼液之脫硫方法,首先於電弧爐內提供一硫含量為重量百分比0.03至重量百分比0.06之熔融鋼液,於電弧爐內加熱此熔融鋼液,使之成為一溫度介於1600℃與1700℃之加熱熔融鋼液,以利進行接下來之脫硫反應。接著,添加脫硫劑至電弧爐中,使脫硫劑於加熱熔融鋼液之表面形成一覆蓋層,再加入碳粉,使覆蓋層因一氧化碳氣體而膨脹增厚,透過此增厚的覆蓋層,可有效阻隔空氣中的氧,並提供一良好的保溫作用,使加熱熔融鋼液不需再提供電力,便能直接於電弧爐內完成脫硫反應,而達到節省成本、精簡製程之目的。

閱讀詳細內容
盛鋼桶鋼水精鍊脫硫劑組成物及脫硫方法

材料系  汪俊延老師

一種盛鋼桶鋼水精鍊脫硫劑組成物,包含60-80重量百分比的氧化鈣粒料及20-40重量百分比的助劑。脫硫方法包括將盛鋼桶鋼水精鍊脫硫劑組成物應用於一硫含量為0.06重量百分比以下之鋼水,於1620-1630 ℃之間進行脫硫,利用助劑熔點遠低於鋼水溫度的特性,使熔融液化的助劑分佈在氧化鈣粒料周邊,有助於使氧化鈣快速固溶而形成液態熔渣並覆蓋在鋼水表面隔絕氧氣,可快速降低鋼水含硫量。上述使用過之脫硫渣亦可被再利用,作為助劑。助劑內含物不含CaF2(螢石)。

閱讀詳細內容
快速製備磷結合劑的方法及含磷結合劑的醫藥組合物

材料系  汪俊延老師

一種快速製備磷結合劑的方法及含磷結合劑的醫藥組合物,包含以三氯化鐵(FeCl3)與氫氧化鎂(Mg(OH)2)溶於酸溶液中(pH=0.2~1)後,再將酸鹼值調至鹼性(pH=9~10),即形成中間層陰離子為氯的鎂-鐵層狀雙層氫氧化物(Mg-Fe-Cl LDH)粉末的溶液。此鎂-鐵層狀雙層氫氧化物之粉末可應用於製備具有治療磷代謝障礙用途的醫藥組合物。

閱讀詳細內容
形成自組裝層狀雙氫氧化物薄膜的方法

材料系  汪俊延老師

一種形成自組裝層狀雙氫氧化物薄膜的方法,包含將一非金屬基材浸置於一含Li+陽離子及Al3+陽離子的澄清水溶液中,在大氣環境下於基材表面形成自組裝鋰-鋁層狀雙氫氧化物。

閱讀詳細內容
具軟磁性的鎂金屬之製備方法

材料系  汪俊延老師

一種具軟磁性的鎂金屬,包含一自組裝可導磁層於一鎂金屬基材表面。一種軟磁性鎂金屬之製備方法包含在大氣環境下將鎂金屬浸置於一含有二氧化碳及鐵離子的第一碳酸溶液中,以及在大氣環境下浸於一鹼性的第二碳酸溶液中形成一可導磁層。

閱讀詳細內容
盛鋼桶鋼水精鍊脫硫劑及脫硫方法

材料系  汪俊延老師

一種針對在盛鋼桶鋼水進行鋼水精鍊脫硫方法,包括將盛鋼桶鋼水精鍊後產出之脫硫渣直接加入另一鋼水中進行脫硫反應。盛鋼桶鋼水精鍊之脫硫渣作為一種脫硫劑,用於硫含量介於約0.06-0.03 wt.% 之間的鋼水脫硫。經過一次精鍊厚的脫硫渣,因熔點明顯低於脫硫溫度,故可直接用於盛鋼桶中進行脫硫,無須進行降溫及細化處理。

閱讀詳細內容
快速製備層狀雙氫氧化物的方法

材料系  汪俊延老師

一種快速製備層狀雙氫氧化物的方法,包含提供一含Li+陽離子及Al3+陽離子的水溶液,再於此水溶液中加入一不含鋰鹽或鋁鹽之夾層陰離子起使物,夾層陰離子起使物之陰離子可與Li+、Al3+陽離子結合,形成一層狀雙氫氧化物Li-Al LDH。

閱讀詳細內容
吸收二氧化碳的方法

材料系  汪俊延老師

一種吸收二氧化碳的方法,包含通入二氧化碳氣體於一水溶液中,溶於水中形成碳酸根離子(CO32-),水溶液實質含有金屬離子Az+及金屬離子B3+。碳酸根離子(CO32-)與金屬離子Az+及金屬離子B3+形成一層狀雙氫氧化物。透過此方法,二氧化碳可以碳酸根形式穩定封存於層狀雙氫氧化物之層狀結構中。

閱讀詳細內容
以電解擴散法在大氣環境下製作鎂-鋰合金及其設備

材料系  汪俊延老師

本發明以電解擴散法在大氣環境下製作鎂-鋰合金,使用石墨當陽極,鎂-鋁-鋅合金薄板當陰極,電解液為45wt%氯化鋰-55wt%氯化鉀。本發明之優點為在大氣環境下,即可製備高鋰含量之鎂-鋰合金,不需手套箱、不需真空熔煉爐。此外,以本方法製備後,材料即為所需之形狀(如板狀),後續只需簡單壓延,即可成為組織微細均勻之鎂-鋰-鋁-鋅合金。本發明之特點在於-純鋰不但層積於陰極,且因高溫而擴散進入陰極內,形成鎂-鋰合金。本發明之設備為一電解槽,結構簡單,且易於組設。

閱讀詳細內容
高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體及提升其垂直磁異向性的方法

材料系  蔡佳霖老師

一種高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體,包括一基板、一形成於該基板的上方的晶種層、一形成於該晶種層上的中間層、一形成於該中間層上且是由一混有AgC與FePt合金為主的複合磁性材料所製成的磁性記錄層,及一形成於該磁性記錄層上的非晶頂層。該非晶頂層是由一選自下列所構成之群組的化合物所製成:碳化硼、氮化硼、碳化矽、氧化矽,及碳氧化矽;其中,該非晶頂層具有一介於0.5 nm至3.0 nm間的厚度。本發明亦提供一種提升垂直磁異向性的方法。

閱讀詳細內容
高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體及提升其垂直磁異向性的方法

材料系  蔡佳霖老師

一種高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體,包括一基板、一形成於該基板的上方的晶種層、一形成於該晶種層上的中間層、一形成於該中間層上且是由一混有AgC與FePt合金為主的複合磁性材料所製成的磁性記錄層,及一形成於該磁性記錄層上的非晶頂層。該非晶頂層是由一選自下列所構成之群組的化合物所製成:碳化硼、氮化硼、碳化矽、氧化矽,及碳氧化矽;其中,該非晶頂層具有一介於0.5 nm至3.0 nm間的厚度。本發明亦提供一種提升垂直磁異向性的方法。

閱讀詳細內容
直流濺鍍用的濺鍍靶材及具有其鍍膜的垂直磁性記錄媒體

材料系  蔡佳霖老師

本發明提供一種直流濺鍍用的濺鍍靶材,包含一Mg1-xAxO1-yDy之化學式(1);其中,A是一選自由下列所構成之群組的金屬元素:Ti、Al、Ta、V、Sc、Y,及前述金屬元素的組合; D是N,或N與一選自由下列所構成之群組的非金屬元素的組合:C、B,及前述非金屬元素的組合;0.3≤x<0.8,且0.1≤y≤0.51;該化學式(1)是一岩鹽結構,A於該岩鹽結構中是取代Mg的部分晶格位置,且D於該岩鹽結構中是取代O的部分晶格位置。本發明亦提供一種具有經直流濺鍍上述濺鍍靶材之鍍膜的垂直磁性記錄媒體,且該鍍膜具有(200)之織構。

閱讀詳細內容
熱輔助磁性記錄媒體

材料系  蔡佳霖老師

本發明提供一種熱輔助磁性記錄媒體,其包含一基板、一形成於該基板之上的晶種層、一形成於該晶種層上的第一中間層,及一形成於該第一中間層之上的磁性記錄層。該第一中間層含有Mg、X及O,X是選自由下列所構成之群組的元素:Cu、Co、Ni,及前述元素的組合,且該第一中間層呈導電性並具有一岩鹽結構。

閱讀詳細內容
應用於有機發光二極體的透明導電氧化薄膜製程方法及裝置

材料系  薛富盛老師

本發明係提供一種應用於有機發光二極體之透明導電氧化薄膜的濺鍍方法及濺鍍裝置,主要是在濺鍍裝置內的濺鍍源與基板之間設有一金屬濾網,且金屬濾網與基板之間係具有一間隔距離。如此一來,透過在濺鍍裝置中裝設金屬濾網之方式,便能夠在無須另外購機或大幅改動機體設備,亦在不犧牲OLED發光效率的情況下,在濺鍍透明導電氧化薄膜時,減少下方有機發光材料所受到之電漿傷害。

閱讀詳細內容
錫/碳複合物製造方法及設備及其應用

材料系  薛富盛老師

本發明提供錫/碳複合物製造方法及設備及其應用。製造方法包括提供含錫水溶液;將錫 塊電性連接至電源之正極;將碳材電性連接至電源之負極,其中錫塊與碳材配置於含錫水溶 液中;以及使電源提供電流,用以使錫形成於碳材表面。

閱讀詳細內容
電極材料結構體及由其所製成的液流電池裝置

材料系  薛富盛老師

一種電極材料結構體及由其所製成的液流電池裝置,該結構體包含一基材、相間隔地設置在該基材的一進口單元及一出口單元。該基材為多孔性導電材料製成,包括反向的一進口側及一出口側。該進口單元包括多數個自該進口側向該出口側延伸且終止於一封閉的盲端的進口流道。該出口單元包括多數個與該等進口流道相錯開,並自該出口側向該進口側延伸且終止於一封閉的盲端的出口流道。藉此,當使電解液流經該結構體時,所形成流阻與壓降會較低而能提升儲能效率,且該電解液與該結構體間仍有較大的接觸機會,而能保有較高的反應效率。

閱讀詳細內容
超疏水奈米表面結構的製備方法及超疏水奈米表面結構

材料系  薛涵宇老師

本發明提供一種超疏水奈米表面結構的製備方法,其包含下述步驟。提供一基材,其中基材包含一聚苯乙烯材料。進行一塗覆步驟,其係將一聚四氟乙烯分散液塗覆於基材之一表面上,以形成一初級表面結構。進行一加熱步驟,其係以一加熱溫度加熱初級表面結構並反應一加熱時間,以使初級表面結構皺縮而形成超疏水奈米表面結構。藉此,本發明之超疏水奈米表面結構的製備方法透過基材上塗覆聚四氟乙烯分散液並進行充分加熱的方式可使其製得之超疏水奈米表面結構具有較高的水滴接觸角,並同時具有高機械強度及高度的超疏水特性。

閱讀詳細內容
發電裝置

材料系  賴盈至老師

本發明係一種發電裝置,包含有一第一摩擦單元、以及一第二摩擦單元,該第一摩擦單元包含有一第一電極層、以及一第一導線與該第一電極層電性連接,該第二摩擦單元包含有一第二電極層貼近於該第一電極層、一第二絕緣層設於該第二電極層靠近該第一摩擦單元之一側、以及一第二導線與該第二電極層電性連接,其中,該第一電極層與該第二電極層中至少其一為包含有導電纖維的導電紡織物。藉此,該發電裝置對外界微小力量反應顯著且發電效率高,同時提升使用者的舒適度,並可兼具產品美觀。

閱讀詳細內容
軟性感測裝置

材料系  賴盈至老師

本發明係一種軟性感測裝置,包含有:一絕緣層、一底層、以及一頂層,該絕緣層具有一底面與一頂面,該底層設於該絕緣層之底面且包含有相連的一電極與一導線,該頂層設於該絕緣層之頂面且包含有一屏蔽部與一鏤空部,該屏蔽部位於該導線之上方,該鏤空部位於該電極之上方。藉此,該軟性感測裝置可有效屏蔽該導線對靜電之響應,以避免產生干擾訊號,並提升感測及定位的準確度。

閱讀詳細內容
承載還原奈米白金顆粒之含鐵氫氧基磷灰石(Pt/XCFeHAp)複材之製備及其作為觸媒之應用

材料系  顏秀崗老師

本發明係關於一種製備承載還原奈米白金顆粒之含鐵氫氧基磷灰石(Pt/XCFeHAp)複材之方法,包含將經表面改質之碳黑XC72粉末與磷酸及硝酸鈣進行沉積反應,使氫氧基磷灰石沉積在XC72上,獲得電阻改善之XCHAp粉末,並經由分散劑CTABr與含鉑化合物H2PtCl6溶液將白金還原於其上形成Pt/XCFeHAp觸媒。

閱讀詳細內容
一種適用於燃料電池的電極觸媒及該觸媒的製造方法

材料系  顏秀崗老師

本發明提出磷酸亞鐵粉末(藍鐵礦vivianite,Fe3(PO4)2‧8H2O),將鉑觸媒還原於此粉末上形成觸媒(Pt/vivianite),與Nafion及碳黑混合後形成Pt/vivianite/C觸媒。透過電化學性能測試,發現使用藍鐵礦粉末作為鉑觸媒載體可提高電化學活性面積(EAS)並改善鉑被一氧化碳毒化的情形,整體提高觸媒轉換效能並降低鉑觸媒使用量。

閱讀詳細內容
一種適用於燃料電池的電極觸媒及該觸媒的製造方法

材料系  顏秀崗老師

一種適用於燃料電池的電極觸媒,包括導電性載體及被該導電性載體所擔載之奈米觸媒金屬,其中,該導電性載體為含鐵氫氧基磷灰石,該奈米觸媒金屬係選自鉑、或鉑-釕合金。製造上述觸媒的方法,主要將氫氧基磷灰石(Hydroxyapatite HAp)與含鐵離子之水溶液攪拌,進行部分鈣離子與鐵離子之交換,再加入鉑前驅物,將部分鐵離子與鉑離子進行交換,再加入還原劑,使鉑顆粒全部還原。還原過後將粉末清洗收集,取得Pt/FeHAp觸媒粉末,再加入碳黑粉末與nafion混合形成Pt/FeHAp/C電極觸媒。

閱讀詳細內容
具有複合抗菌鍍層之生醫植入材及其製造方法

材料系  顏秀崗老師

本發明提出一種以電化學方法沉積抗菌鍍層於可導電金屬植入材,該抗菌複合鍍層由磷酸鈣、生物高分子、抗生素共同組成可提昇生物醫學植入材之抗菌性及生物活性。

閱讀詳細內容
具氫氧基磷灰石及明膠的微米球製備方法

材料系  顏秀崗老師

一種具氫氧基磷灰石及明膠的微米球製備方法,係應用在生醫複合技術中,主要技術在於利用水熱法在明膠水溶液中加入磷酸二氫氨和硝酸鈣,並在適當的加熱溫度、攪拌時間及攪拌速率下製備生成微米球,本發明之製備方法不需任何有機溶劑,可以避免毒性化學物質的殘留,亦不需調整pH值或加入交聯劑,只需控制在特定溫度範圍下即可生成具氫氧基磷灰石及明膠的微米球。

閱讀詳細內容

植物品種權

搜尋結果: 0項

技術移轉

搜尋結果: 16項

振動應力消除技術

材料系    吳威德教授 

當金屬物件經傳統製程處理後(如:銲接、鍛造、鑄造、熱處理等),皆會造成應力,而應力的存在會造成材料不安定,且往往為材料破損的袑始原因,故如何有效降低材料的殘留應力是一項重要的課題。目前常用的應力消除方法分為熱處理法與振動法,熱處理法因使用上對材料種類與尺寸大小有限制,而振動法對於所有金屬物件與尺寸皆適用,導致振動消除應力技術在不同金屬製程領域受到相當的重視。

閱讀詳細內容
厚膜負溫度係數熱敏電阻技術

材料系    李文熙教授 

利用厚膜印刷方式取代傳統積層陶瓷方式製作高精準電阻值之負溫度係數熱敏電阻器有低成本高良率的優勢。其最重要關鍵技術有1).低溫、低電阻率與高電阻溫度係數之厚膜材料開發,2).網版印刷厚膜NTC電阻膏有機材料配方開發與3).厚膜NTC修阻雷切技術開發。

閱讀詳細內容
天然黏土應用

材料系    林江珍教授 

本發明提供一種有害微生物抑制劑,係將完全脫層的奈米矽片與適當媒介或載體混合而成。與細菌與病毒等有害微生物接觸時,可藉由矽片的高度片徑比高電荷性來吸附細菌,以抑制有害微生物的生長與活動。

閱讀詳細內容
一種曼尼斯胺改質黏土與其衍生之奈米矽片及其製造方法

材料系    林江珍教授 

本發明是提供一種具有優質界面活性劑效能,並可做為高分子補強劑之曼尼斯胺改質黏土和進一步所製得之奈米矽片,其係以分子量1000以上之聚醚胺、對甲酚及甲醛聚合成一直鏈狀之曼尼斯胺高分子插層劑,並以該插層劑改質矽氧層狀無稽黏土例如蒙脫土而得之曼尼斯胺改質黏土。

閱讀詳細內容
固態發光結構的製造方法

材料系    武東星  洪瑞華  潘俊廷教授 

一種固態發光結構的製造方法,先在第一基板上形成氮化鎵系材料無法磊晶成長的犧牲層,再移除部分犧牲層的結構得到圖案化的犧牲層結構;然後以朝三維方向成長的磊晶生長自第一基板的預定區域形成由氮化鎵系材料構成的第一半導體結構、以朝橫向成長速度較快的磊晶生長自第一半導體結構向上形成第二半導體層、和由第二半導體層向上成長供電時發光的發光晶體層;在發光晶體層表面接合上第二基板後移除犧牲層結構形成蝕刻通道,再經由蝕刻通道移除第一基板、第二半導體層後,即製得連結在第二基板與發光晶體層的固態發光結構。

閱讀詳細內容
提升紫外光發光二極體外部量子效率之方法

材料系    武東星教授 

提供一具有表面電漿共振效應之透明導電薄膜,該薄膜可用透明導電氧化物薄膜嵌入奈米金屬堆疊層形成,當作歐接觸層。由於金屬奈米粒子塗層可形成區域性表面電漿,並與橫向磁波™偏振光產生耦合效應,可有效提升紫外光發光二極體元件光萃取效率。

閱讀詳細內容
磊晶元件的製作方法

材料系    武東星教授  洪瑞華教授 

一種製造半導體器件的方法,包括:(a)形成分層結構,該分層結構包括臨時基板,臨時基板上的多個間隔開的犧牲膜區域,以及犧牲膜區域中的多個谷峰區域;(b)在犧牲膜區域和谷-峰區域上橫向和磊晶生長磊晶膜層,其中在磊晶膜層和谷-峰區域之間形成間隙;(c)形成導電層以接觸磊晶膜層;(d)形成多個凹槽,以將磊晶膜層和導電層分成臨時基板上的多個磊晶結構。

閱讀詳細內容
具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置

材料系    武東星教授  洪瑞華教授  陳亘延  廖宗聘 

一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置,用於控制多種電器產品,包含框架、設置於框架中的主電路板,及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組,及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時,能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組,以維持按鍵組件的運作功能。

閱讀詳細內容
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置

材料系    武東星教授  洪瑞華教授  陳柏瑋 

亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層,更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第

閱讀詳細內容
大面積被動式微發光二極體陣列顯示器

材料系    武東星教授  洪瑞華教授  陳柏瑋  袁碩璜 

一種大面積被動式微發光二極體陣列顯示器,包括數各具基板、微發光陣列及陣列用絕緣層的微發光二極體陣列,及具載板、數第

閱讀詳細內容
陽離子結合劑及包含其之醫藥組合物

材料系    汪俊延教授 

本發明可應用於水質陰離子淨化處理程序或作為於生化環境的陰離子吸收與釋放功能材料。例如,可能提供一種用於治療患有或易患高磷血症病人的醫藥組合物。本發明還提供製造此化學成分粉末組合物的方法。一種藥物或陰離子載體作為在特定pH值環境下釋放該藥物或吸收陰離子。

閱讀詳細內容
微晶粉末製備與提升其陰離子吸附技術

材料系    汪俊延教授 

本know-how技術包括微晶化粉末材料的製備程序、製備條件與熱處理程序。本微晶化粉末有利於吸附溶液中的陰離子,並造成微晶化粉末與陰離子結合,避免該陰離子於後續化學處理或生化處理過程中再次脫離至溶液中。材料粉末主要成分可能為C、H、O、Mg、Fe等;本粉末需控制其微觀材料具備淨正或負電荷,以利於吸附相關的離子物質。

閱讀詳細內容
石墨烯/石墨高硬度自潤表面處理層

材料系    汪俊延教授 

以放電合金化法(Electrical Discharge Alloying, EDA)對AA6082合金進行表面 改質,放電合金化法為放電加工法逆電極之變化,本研究以純鐵電極作為負極,透過不同階段及改變不同電氣參數之放電,達到改善AA6082磨潤性質的效果,根據實驗結果顯示,兩階段放電後(脈衝時間2000 s、放電電流30 A)表面粗糙度(Ra)約為7.24 m,合金化層硬度可達到1400 HV以上,且開始有石墨相的出現,而根據文獻指出 石墨具備良好的潤滑效果。

閱讀詳細內容
低溫結晶之透明導電薄膜製造方法及利用該方法所製成之物

材料系    薛富盛教授 

本發明係提出一種低溫結晶之透明導電薄膜製造方法及其利用該方法製成之導電薄膜。其中該方法係以氧化銦為主要成分之一靶材對一基板進行物理氣相沉積,其特徵在於:該靶材包含一二氧化錫成分及一過渡元素氧化物成分,且該二氧化錫相對該靶材整體之重量百分比小於或等於8wt.%;該過渡元素氧化物相對該靶材整體之重量百分比小於或等於2.5wt.%,其中該過渡元素氧化物種類為涵蓋四價或四價以上元素之氧化物,又該物理氣相沉積之環境溫度係可於室溫下進行。藉此,可於一般室溫下於該基板上形成結晶態之薄膜,且該薄膜具有低電阻、高光透之物理特性。

閱讀詳細內容
TiZrHf氮化物薄膜加值應用於摩擦攪拌頭

材料系    薛富盛教授  蔡篤承 

鈦鋯鉿金屬氮化物為四元體系薄膜材料,元素組成配比視窗較廣,固溶強化作用強烈,機械性質與熱穩定性更高於傳統材料。由於靶材重元素配比,直接提高濺鍍粒子動能,無需外加偏壓或者高功率脈衝設備即可鍍製高品質硬質薄膜。鈦鋯鉿金屬氮化物同屬IV族元素,固溶之後仍能保持淡金黃色澤,附加價值較高。目前應用於摩擦攪拌銲接頭上,並已證實可延長3倍的使用壽命。

閱讀詳細內容
具氫氧基磷灰石及明膠的微米球製備方法

材料系    顏秀崗教授 

一種具氫氧基磷灰石及明膠的微米球製備方法,係應用在生醫複合技術中,主要技術在於利用水熱法在明膠水溶液中加入磷酸二氫氨和硝酸鈣,並在適當的加熱溫度、攪拌時間及攪拌速率下製備生成微米球,本發明之製備方法不需任何有機溶劑,可以避免毒性化學物質的殘留,亦不需調整pH值或加入交聯劑,只需控制在特定溫度範圍下即可生成具氫氧基磷灰石及明膠的微米球。

閱讀詳細內容