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技術摘要

本發明涉及種用於製造半導體裝置的方法。所述方法包含：提供包含第金屬接點的第電子元件和包含第二金屬接點的第二電子元件，改變所述第金屬接點的晶格，以及在預定壓力和預定溫度下將所述第金屬接點接合到所述第二金屬接點。

校內編號

107PF1001X

專利國家

中國大陸

專利類型

發明

專利證號

ZL 201810159644.3

成果來源

中興大學