技術摘要
本發明提供一種磊晶基板的製作方法，是用以於其上成長一磊晶膜層結構以構成一垂直導通式發光二極體，該磊晶膜層結構是由一以氮化鎵為主的材料所構成。該製作方法包含：(a)於一第一單晶板本體的一第一表面形成一第一鍵合層；(b)於一第二單晶板本體的一第一表面形成一第二鍵合層；(c)以熱壓法使該第一鍵合層與該第二鍵合層鍵合在一起並從而形成一黏結層；及(d)於該步驟(c)後，自該第二單晶板本體之一相反於其第一表面的第二表面薄化第二單晶板本體，第二單晶板本體的第二表面是用以成長該磊晶膜層結構。
校內編號
101PE0004
專利國家
中華民國
專利類型
發明
專利證號
I474381
成果來源
經濟部