技術摘要
本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極體，包含一基板、一形成在該基板的發光單元、一形成在該發光單元的導電膜，及二分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。特別地，該導電膜包括一能導電且透光的膜本體，及一形成於該膜本體的堆疊結構。該堆疊結構由複數奈米粒子週期性地排列堆疊，且該等奈米粒子其中之多數與該膜本體的組成結構形成複數堆疊物，藉該堆疊結構或該等堆疊物，與該發光單元間引發表面電漿共振而大幅提昇發光二極體整體的光萃取率。本發明還提供該導電膜的製作方法。
校內編號
103PE0004
專利國家
中華民國
專利類型
發明
專利證號
I581452
成果來源
經濟部