專利
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用於生產一標的蛋白質的核酸建構物、重組型載體以及方法
Disclosed herein is a process for producing a target protein, in which a recombinant polynucleotide is constructed to encode a fusion protein including: (i) an anchoring protein that includes a N-terminal amino acid sequence of an ice nucleation protein, so that the fusion protein, once expressed in the host cell, is directed by the anchoring protein to be anchored and exposed on the outer membrane of the host cell; (ii) the target protein; and (iii) a self-splicing protein that includes a first end fused with the anchoring protein and a second end fused with the target protein, wherein the self-splicing protein includes a N-terminal or C-terminal amino acid sequence of an intein protein at the second end thereof, such that upon an environmental stimulus, the self-splicing protein exerts a self-cleavage at the second end thereof to release the target protein from the fusion protein.
閱讀詳細內容固定化金屬親和薄膜及其製備方法、由其製得之金屬錯合膜以及固定化酵素膜
本發明固定化金屬親和薄膜之製備方法包含步驟為：令一表面具有羥基之薄膜與一鹼液於一相轉移催化劑存在下進行反應，以取得一活化膜；在一兩性溶劑的存在下，令該活化膜與一環氧化物相反應，使該活化膜的表面具有多個環氧基；以及令該具有多個環氧基之活化膜與一含有螯合劑且pH值範圍介於10~14之間的水溶液相反應，進而製得一表面具有多個可螯合金屬離子的螯合基之固定化金屬親和薄膜。由上述之方法所製得之固定化金屬親和薄膜可螯合金屬離子的量是介於4.0~4.6 mmole/cm2之間。本發明還提供該親和薄膜螯合金屬離子後製得之金
閱讀詳細內容軟性電路板與其製作方法
本發明揭露一種以還原氧化石墨烯取代傳統無電電鍍製程，以利於電鍍銅箔於可撓式軟性聚亞醯胺基板、應用於電路板。傳統電鍍銅箔於軟性聚亞醯胺基板時，需在聚亞醯胺基板表面進行以鈀觸媒還原銅離子之無電電鍍製程，在基板表面沉積一層薄銅箔，以作為後續電鍍銅箔之導 電層。在本專利發明，則是在聚亞醯胺基板表面先化學反應接枝上一具備多胺結構之有機分子，形成一介面層並在此介面層上方進行氧化石墨烯化學接枝反應，使得氧化石墨烯共價接枝於聚亞醯胺表面，隨後進行化學還原形成一致密導電層，以取代傳統以鈀觸媒還原銅離子無電電鍍之銅箔層；並在還原氧化石墨烯薄膜表面還原上適量之奈米銀顆粒，以提升薄膜表面之導電度，於表面還原奈米銀之還原氧化石墨烯薄膜表面進行電鍍銅箔製程、作為軟性電路板之應用。其中，由於還原氧化石墨烯薄膜與聚亞醯胺基板表面之接著性差，因此本專利提出一具備多胺結構之有機分子介面層以利於提升還原氧化石墨烯薄膜與聚亞醯胺基板表面之接著性；同時，為提升還原氧化石墨烯之導電度、以利於銅箔之電鍍，在還原氧化石墨烯表層還原適量奈米銀粒，以提升電鍍銅箔品質，此即為本專利之申請技術項目與創作目的。
閱讀詳細內容共價有機架構複合材料、含有其之電極材料與超級電容
本發明利用化學反應共價鑑結，將具有高結晶性、多孔性、高比面積與高氧化還原能力之有機共價架構 (Organic covalent frameworks， COF) 接枝於奈米碳管表面，製備出奈米碳管/有機共價架構複合材料。 1. 其中 COF 材料以三嗪 (Triazine)為共價核心，製備出TPTP-COF/CNT複合材(如圖1所示)。由於 Triazine 之共價核心是直接反應於 CNT表面，TPTP-COF可緊密堆疊成長於 CNT表面，可獲得相對較高比表面積之多孔性複合材。但是，TPTP-COF在CNT表面緻密結合，也降低整體複合材料之導電性，獲得相對較低之電容特性。 2. 其中 COF 材料以三嗪 Triazine 為共價核心、蒽醌衍生物為架橋，製備出TPDA-COF/CNT複合材(如圖2 所示)。由於是以架橋蒽醌衍生物直接反應於 CNT表面，TPDA-COF堆疊成長於 CNT表面相對具有較低之致密性，所獲得相對較低的比表面積之多孔性複合材。但是，TPDA-COF本身即具有較高之氧化還原能力，與 CNT表面透過架橋蒽醌衍生物有較好之電荷傳遞；並且，TPDA-COF與奈米碳管間結合緻密性雖然較低，奈米碳管之導電性在複材中較能顯現，製備成電極獲得相對較高之電容特性。 3.1. 本案進一步將奈米碳管/有機共價架構複合材料 (TPTP-COF/CNT與TPDA-COF/CNT) 製備成超級電容器之電極，所獲得之超電容值分別為203及407 F/g。
閱讀詳細內容由雙酚Ａ製備之螺環化合物、其二元酸與二元酸酐衍生物，該等衍生物之聚合物，及彼等之製備方法
本發明揭示一系列螺環化合物、其二元酸與二元酸酐衍生物及彼等之聚合物及其製造方法。本發明之螺環化合物之製造方法包含使雙酚A(bisphenol A，BPA)與具有如下通式(i)之化合物在酸觸媒存在下進行反應，合成具有下式(I)之螺環化合物。上述式(I)化合物之二元酸與二元酸酐衍生物之製造方法包含使式(I)化合物於氧化劑存在下進行自氧化步驟(autoxidation step)，合成具有式(II)及式(III)之二元酸/二元酸酐衍生物。本發明更提供以該等衍生物製備之具有式(IV)之聚合物及其製造方法。
閱讀詳細內容氧代氮代苯并環己烷（BENZOXAZINE）樹脂與具有取代基的氧代氮代苯并環己烷樹脂的一鍋化／二鍋化製造方法及用途
本發明係提供一種如通式(1)之氧代氮代苯并環己烷樹脂， (1)其中n為1、2或3；R係選自由C1-C6烷基、C3-C7環烷基、CF3和 所組成之群；R1~R4係各自獨立選自由氫、氫氧基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、CF3、OCF3、苯基、鹵素、苯氧基和C3-C7環烷基所組成之群；Q為單鍵、 、 、 、 或 ；當n=2時，W係選自下述基團： ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ， ，－s－，－o－， ， ， ， ， ；當n=3時，W選自下列基團 或 ；當n=1、Q為單鍵時，W為 ；T係選自由氫、C1-C6烷基、氫氧基、C1-C6烷氧基、胺基、羧基、CF3、苯基、鹵素、苯氧基和C3-C7環烷基所組成之群；Y與Z係各自獨立選自由氫原子、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、CF3、苯基、鹵素、苯氧基和C3-C7環烷基所組成之群。本發明提供一種新穎合成氧代氮代苯并環己烷樹脂之一鍋化/二鍋化方法(One-pot/Two-pot)，利用單或多官能基胺基類或硝基類，製備氧代氮代苯并環己烷(Benzoxazine)樹脂與具有取代基的氧代氮代苯并環己烷樹脂。
閱讀詳細內容矽烷基團層自組裝膜之改質劑，以及利用該改質劑之玻璃表面金屬化方法
一種矽烷基團層自組裝膜之改質劑，該改質劑是由金屬化合物 MX 以及酸性溶液按預定 濃度比例混合而成。所述金屬化合物 MX，M 可為一價或多價金屬陽離子之擇一，X 為 Cl-、 NO3 -、Br-、ClO4 -之擇一。酸性溶液 NZ，N 可為 H+，Z 可為 Cl-、SO4 2-、NO3 -、 CH3COO-之擇一。金屬化合物濃度為 0.1-0.5M，酸性溶液濃度為 0.1-0.5M，pH 值為 1-4。 透過改質劑將基板表面之矽烷基團層的分子團聚現象完全消除，降低矽烷基團層的表面粗燥 度，使矽烷基團層表面
閱讀詳細內容製造高光電轉換率之光電極的方法以及使用該光電極的染料敏化太陽電池
一種製造高光電轉換率之光電極的方法，包括：步驟一，將碳化矽奈米粒子分散於液態媒體中；步驟二，將二氧化鈦奈米顆粒分散於步驟一所獲得的分散液；步驟三，將聚乙二醇混合於步驟二所得的分散液中，獲得碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液；步驟四，將該碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液塗佈於一導電基材的表面；步驟五，經由一燒結步驟和一冷卻步驟，使該碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液成為固著於該導電基材的碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)複合薄膜；步驟六，經由一浸泡或滴加光敏染料溶液的步驟，
閱讀詳細內容製造高光電轉換率之光電極的方法以及使用該光電極的染料敏化太陽電池
一種製造高光電轉換率之光電極的方法，包括：步驟一，將碳化矽奈米粒子分散於液態媒體中；步驟二，將二氧化鈦奈米顆粒分散於步驟一所獲得的分散液；步驟三，將聚乙二醇混合於步驟二所得的分散液中，獲得碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液；步驟四，將該碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液塗佈於一導電基材的表面；步驟五，經由一燒結步驟和一冷卻步驟，使該碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)膠態溶液成為固著於該導電基材的碳化矽/二氧化鈦(SiC/TiO2)複合薄膜；步驟六，經由一浸泡或滴加光敏染料溶液的步驟，
閱讀詳細內容鈣鈦複合氧化物可見光觸媒的製備方法、其製備之鈣鈦複合氧化物可見光觸媒及二氧化碳光催化還原反應製備醇類之方法
本發明提供一種鈣鈦複合氧化物可見光觸媒的製備方法，其包含提供一鈣源、進行一模板劑製備步驟、提供一鈦源、進行一混合步驟、進行一老化步驟以及進行一鍛燒步驟。鈣源係將一含鈣廢棄物經鍛燒後所形成。模板劑製備步驟用以製備一模板劑。鈦源係將鈦酸四丁酯加入無水酒精中所形成。混合步驟用以形成一第一混合物。老化步驟用以形成一第二混合物。鍛燒步驟用以得到鈣鈦複合氧化物可見光觸媒。藉此，本發明可調控模板劑、鍛燒及老化溫度來製備可見光觸媒，有效地應用於二氧化碳光催化還原反應，以製備醇類。
閱讀詳細內容鈣鈦複合氧化物可見光觸媒的製備方法、其製備之鈣鈦複合氧化物可見光觸媒及二氧化碳光催化還原反應製備醇類之方法
本發明提供一種鈣鈦複合氧化物可見光觸媒的製備方法，其包含提供一鈣源、進行一模板劑製備步驟、提供一鈦源、進行一混合步驟、進行一老化步驟以及進行一鍛燒步驟。鈣源係將一含鈣廢棄物經鍛燒後所形成。模板劑製備步驟用以製備一模板劑。鈦源係將鈦酸四丁酯加入無水酒精中所形成。混合步驟用以形成一第一混合物。老化步驟用以形成一第二混合物。鍛燒步驟用以得到鈣鈦複合氧化物可見光觸媒。藉此，本發明可調控模板劑、鍛燒及老化溫度來製備可見光觸媒，有效地應用於二氧化碳光催化還原反應，以製備醇類。
閱讀詳細內容植物品種權
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技術移轉
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