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低介電常數材料及其衍生物之製造方法


技術摘要


一系列以鑽石烷為基質之化合物,具有如式(I)所示之結構: (I) 其中A包含NO2、NH2;R1-R7分別選自於氫、碳數為1至6之烷基、碳數為1至6之氧烷基、碳數為3至7之環烷基、-CF3、-OCF3或鹵原子。

校內編號


098PC002


專利國家


中華民國


專利類型


發明


專利證號


I382011


成果來源


國科會