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材料系   呂福興老師

本發明係一種太陽能吸收裝置，由一基材與一太陽能吸收膜所組成，該太陽能吸收膜具有一底面與一頂面，該底面係與該基材連接，該頂面則相背與該底面，該太陽能吸收膜之成份為TiN xOy，由該底面至該頂面，x由1變至0.1，y由0.2變至2；藉此，該太陽能吸收裝置不僅結構單純、製程快速，而且成本低廉，極具市場競爭潛力。

材料系   呂福興老師

本發明係一種太陽能吸收裝置，由一基材與一太陽能吸收膜所組成，該太陽能吸收膜具有一底面與一頂面，該底面係與該基材連接，該頂面則相背與該底面，該太陽能吸收膜之成份為TiN xOy，由該底面至該頂面，x由1變至0.1，y由0.2變至2；藉此，該太陽能吸收裝置不僅結構單純、製程快速，而且成本低廉，極具市場競爭潛力。

材料系   呂福興老師

一種製備金屬氮化物膜之方法，係先將一靶材與一基材置入一真空腔體中，該靶材係由鈦或鋯所製成；接著，再利用濺鍍法於該基材表面形成一金屬氮化物膜，該金屬氮化物膜係氮化鈦膜或氮化鋯膜，其中，真空腔體之工作壓力固定於5×10-4~5×10-2 torr，通入空氣與氬氣於該真空腔體中，空氣/氬氣之流量比為(5~15)/100，以一電源供應器提供輸出功率為100~5000 W之直流電，由於空氣之取得極為方便，且背景真空度之要求較習知方法為低，使本發明所提供之方法具有設備簡易、製程快速、成本低廉等優點。

材料系   呂福興老師

本發明提供一種電沈積銅奈米粒子之方法，其包括下列步驟：(A)提供一電沈積反應系統，該電沈積反應系統包括一電解液、一置於電解液中的導電氮化物膜作為工作電極、一置於電解液中的銅金屬或銅合金作為輔助電極、以及一置於電解液中的參考電極；以及(B)施加脈衝電壓於該電沈積反應系統，使該導電氮化物膜表面形成銅奈米粒子。

材料系   呂福興老師

本發明提供一種電沈積銅奈米粒子之方法，其包括下列步驟：（A）提供一電沈積反應系統，該電沈積反應系統包括一電解液、一置於電解液中的導電氮化物膜作為工作電極、一置於電解液中的銅金屬或銅合金作為輔助電極、以及一置於電解液中的參考電極；以及（B）施加脈衝電壓於該電沈積反應系統，使該導電氮化物膜表面形成銅奈米粒子。

材料系   呂福興老師

本發明有關於一種利用電漿電解氧化製備氧化物膜的方法，其係先將一陽極以及一陰極置入一電解質溶液中，其中該陽極為具有導電氮化物膜的基材，而該電解質溶液的溫度範圍大於20℃且小於100℃，接著再將50 V至1000 V的電壓施加於該陽極以及該陰極，最終在該陽極的導電氮化物膜的表面形成一氧化物膜。相較於習用製備氧化物膜的方法，本發明不僅能夠更快速地製得氧化物膜，且製得之氧化物膜的結晶性較佳。

材料系   呂福興老師

本發明是以物理氣相沈積法，利用空氣(air )取代純氮氣(N2)，與氬氣(Ar)一起，在電漿環境下，控制不同的氬氣(Ar)與空氣(air)的比值，製備出金屬氮化物(MNx)薄膜，本發明能有效降低設備與製程成本，將使其金屬氮化物(MNx)薄膜應用更為廣泛。 以氮化鈦(TiNx)或氮化鋯(ZrNx)而言，在電漿環境下，背景壓力只需抽1~3分鐘，即可進行製備。而使用空氣(air)作為反應性氣體，以適當的air/Ar比例，所鍍著之薄膜，經X光繞射儀與特性檢定，確定能成功製備出氮化薄膜。

材料系   呂福興老師

一種製備金屬氮氧化物膜之方法，係先將一金屬靶材與一基材置入一真空腔體中，該金屬靶材係由鈦、鋯、鉻或其合金所製成，並將背景壓力保持在5×10-6~5×10-2 torr；接著，利用物理氣相沈積法於該基材表面形成一金屬氮氧化物膜，沈積時該真空腔體之工作壓力保持於5×10-4~5×10-2 torr，並將空氣與氬氣通入該真空腔體中，其中空氣/氬氣之流量比為(12~70)/100；由於空氣之取得較純氧與純氮方便得多，且背景真空度之要求較習知方法為低，使本發明所提供之方法具有設備簡易、製程快速、成本低廉等多重優點。

材料系   宋振銘老師

本發明涉及種用於製造半導體裝置的方法。所述方法包含：提供包含第金屬接點的第電子元件和包含第二金屬接點的第二電子元件，改變所述第金屬接點的晶格，以及在預定壓力和預定溫度下將所述第金屬接點接合到所述第二金屬接點。

材料系   宋振銘老師

本發明涉及種用於製造半導體裝置的方法。所述方法包含：提供包含第金屬接點的第電子元件和包含第二金屬接點的第二電子元件，改變所述第金屬接點的晶格，以及在預定壓力和預定溫度下將所述第金屬接點接合到所述第二金屬接點。

材料系   宋振銘老師

一種非鍍式銅及銅合金表面改質的方法，包含一氧化前處理步驟及一低溫粗糙多孔化步驟。該氧化前處理步驟是對一包括銅的待處理物加熱，使該待處理物的表面產生一氧化層。該低溫粗糙多孔化步驟是加熱一包括有機酸氣體的混合氣體，並讓經加熱的該混合氣體經鉑催化而噴向該待處理物的該氧化層，以還原該氧化層而形成一粗糙多孔銅表面。本發明先執行該氧化前處理步驟再進行該低溫粗糙多孔化步驟，能快速改質該待處理物，有別於其他表面改質方法需要濺鍍、蒸鍍，或機械加工等繁複的製程。

材料系   宋振銘老師

一種具有複合結構的接合材料，經燒結後可用以進行二物件的接合，包含一核心，及多個環繞該核心的奈米粒子，該核心由金屬材料構成且平均粒徑不大於1000 nm，而該等奈米粒子由金屬材料構成且可與該核心的金屬材料相同或不同，其中，該核心的粒徑為該等奈米粒子的粒徑的10倍以上。

材料系   曾文甲老師

本發明提供一種二氧化鈦粒子多孔性材料的製備方法，其先提供複數個二氧化鈦粒子，且各二氧化鈦粒子包含複數個為中孔結構之第一孔洞。接著，進行表面改質步驟使界面活性劑結合至各二氧化鈦粒子之部分表面，再將改質後之二氧化鈦粒子導入水中形成懸浮液並使懸浮液發泡而形成泡沫體。最後，將泡沫體置入模具中乾燥形成胚體，再鍛燒胚體以製得二氧化鈦多孔性材料。藉此，本發明製得之二氧化鈦多孔性材料具有高孔隙率，將其作為吸油材料時具有高吸油效果。此外，本發明之二氧化鈦多孔性材料的機械強度佳且可重複使用，而可有效應用於處理污水。

材料系   曾文甲老師

本發明提供一種奈米異質結構，其包含第一奈米結構以及設置於前述第一奈米結構之表面上的複數個第二奈米結構。第一奈米結構具有一長軸方向與一短軸方向，且第一奈米結構於短軸方向上之截面積係沿著長軸方向漸縮。其中第一奈米結構包含n型半導體材料，而前述第二奈米結構包含p型半導體材料。藉此，相較於單一材質結構之氣體感測感測器，第一奈米結構與第二奈米結構間所形成之p-n接面與高比表面積等優點提升本發明提供之奈米異質結構於室溫下之氣體感測靈敏度，且前述奈米異質結構所應用之氣體感測器的氣感特性不易受濕度環境的影響。

材料系   曾文甲老師

一種用於填充盛鋼桶之填充砂粒，可使鋼液在盛鋼桶出鋼嘴之滑門開啟後自然開口流過。填充砂粒包含核心粉粒以及殼層。核心粉粒之材質包含碳化矽礦砂。殼層包覆於核心粉粒外，殼層之材質包含氧化矽，其中殼層易與鋼液反應形成燒結層。

材料系   林佳鋒老師

一種具蝕刻通道的磊晶結構包含一基板、一形成於該基板的緩衝犧牲層，及一形成於該緩衝犧牲層的磊晶層，該基板包括複數條自一頂面向下凹設的蝕刻通道，對應每一蝕刻通道還包括兩面界定該等蝕刻通道的斜面，該緩衝犧牲層包括複數分別形成於該基板頂面上的緩衝犧牲塊體，該磊晶層形成於該緩衝犧牲層上且蓋於該等蝕刻通道上，該磊晶層的底面與該等斜面共同圍繞界定呈倒三角形的蝕刻通道利用該等呈倒三角形的蝕刻通道，供濕式蝕刻溶液通入，以更快速地蝕刻該緩衝犧牲層，進而提高自該磊晶層移除該基板的效率。

材料系   林江珍老師

本發明係提供一種阻焰薄膜及其製備方法。主要係將無機矽酸鹽黏土或其脫層形式之奈米矽片與一溶劑混合，形成一分散溶液；再使該分散溶液於一表面乾燥以除去該溶劑，並形成全無機之可撓曲薄膜，厚度約為5μm至1,000μm。該阻焰薄膜具有排列整齊之結構；於800℃火焰中70分鐘，仍無著火現象，並可保持結構完整。該阻焰薄膜亦可混掺一高分子化合物，或與一高分子化合物之薄膜或金屬膜結合形成一複合膜。

材料系   武東星老師

我們提出一具微奈米特徵的增亮膜(BEF)，應用於平面顯示裝置。微米等級的特徵圖案分布於BEF表面，具有擴散與品味(FOS)修飾功能；奈米孔隙分布於BEF內層，可提升BEF穿透率，減少光線全內反射(TIR) 並可修正使用一般BEF元件造成的色偏(color shift)現象。具微奈米特徵的BEF為單層結構，無須後加工製程，可有效減薄平面顯示裝置厚度並具集光、擴散與抑制色偏的功能。

材料系   武東星老師

一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置，用於控制多種電器產品，包含框架、設置於框架中的主電路板，及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組，及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時，能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組，以維持按鍵組件的運作功能。

材料系   武東星老師

一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置，用於控制多種電器產品，包含框架、設置於框架中的主電路板，及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組，及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時，能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組，以維持按鍵組件的運作功能。