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具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置

材料系  武東星老師

一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置，用於控制多種電器產品，包含框架、設置於框架中的主電路板，及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組，及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時，能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組，以維持按鍵組件的運作功能。

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具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置

材料系  武東星老師

一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置，用於控制多種電器產品，包含框架、設置於框架中的主電路板，及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組，及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時，能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組，以維持按鍵組件的運作功能。

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大面積被動式微發光二極體陣列顯示器

材料系  武東星老師

一種大面積被動式微發光二極體陣列顯示器，包括數各具基板、微發光陣列及陣列用絕緣層的微發光二極體陣列，及具載板、數第一、二外部線路、線路用絕緣層及電性鍵合單元的外部線路組件。微發光陣列沿Y方向間隔佈滿基板表面，且沿X方向各具延伸於表面的第一層、數發光層、數第二層、設於第一層的第一內電極層及數設於各第二層的第二內電極層。各第一內電極層具間隔圍繞各發光層的基部及自基部背向表面凸出的凸部。陣列用絕緣層覆蓋微發光陣列以裸露出各凸部與各第二內電極層。微發光二極體陣列比鄰並間隔配置且各凸部與第二內電極層鍵合於電性鍵合單元。

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亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置

材料系  武東星老師

亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層，更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第一、二內電極層。外部線路組件包括面向基板的載板、各沿Y、X方向間隔並沿X、Y方向延伸於載板的第一、二外部線路、裸露出第一、二外部線路的線路用絕緣層及鍵合於第一、二外部線路與第一、二內電極層的電性鍵合單元。

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大面積被動式微發光二極體陣列顯示器

材料系  武東星老師

一種大面積被動式微發光二極體陣列顯示器，包括數各具基板、微發光陣列及陣列用絕緣層的微發光二極體陣列，及具載板、數第一、二外部線路、線路用絕緣層及電性鍵合單元的外部線路組件。微發光陣列沿Y方向間隔佈滿基板表面，且沿X方向各具延伸於表面的第一層、數發光層、數第二層、設於第一層的第一內電極層及數設於各第二層的第二內電極層。各第一內電極層具間隔圍繞各發光層的基部及自基部背向表面凸出的凸部。陣列用絕緣層覆蓋微發光陣列以裸露出各凸部與各第二內電極層。微發光二極體陣列比鄰並間隔配置且各凸部與第二內電極層鍵合於電性鍵合單元。

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亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置

材料系  武東星老師

亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層，更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第一、二內電極層。外部線路組件包括面向基板的載板、各沿Y、X方向間隔並沿X、Y方向延伸於載板的第一、二外部線路、裸露出第一、二外部線路的線路用絕緣層及鍵合於第一、二外部線路與第一、二內電極層的電性鍵合單元。

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亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置

材料系  武東星老師

亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層，更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第一、二內電極層。外部線路組件包括面向基板的載板、各沿Y、X方向間隔並沿X、Y方向延伸於載板的第一、二外部線路、裸露出第一、二外部線路的線路用絕緣層及鍵合於第一、二外部線路與

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磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件

材料系  武東星老師

一種磊晶層的修復方法，包含準備步驟、升溫步驟、霧化步驟，及修復步驟。首先，準備步驟是準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體，及一具有一腔室的退火裝置，接著執行升溫步驟，對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫度，並透過霧化步驟霧化該工作液體並輸入經升溫的該腔室中，最後修復步驟是將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層的該光電元件設置於該腔室中，以讓經霧化的該工作液體修復該磊晶層。此外，本發明還提供一種使用前述方法製成的光電元件。

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磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件

材料系  武東星老師

一種磊晶層的修復方法，包含準備步驟、升溫步驟、霧化步驟，及修復步驟。首先，準備步驟是準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體，及一具有一腔室的退火裝置，接著執行升溫步驟，對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫度，並透過霧化步驟霧化該工作液體並輸入經升溫的該腔室中，最後修復步驟是將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層的該光電元件設置於該腔室中，以讓經霧化的該工作液體修復該磊晶層。此外，本發明還提供一種使用前述方法製成的光電元件。

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發光二極體之發光波段的調變方法

材料系  武東星老師

一種發光二極體之發光波段的調變方法，依序包含(a)對一磊製於一磊晶基板上的一發光二極體中的第二型半導體層施予一含有複數帶電離子之電漿處理，令該第二型半導體層的一表面上接合有部分該等帶電離子；(b)在該第二型半導體層的該表面上塗佈一含有複數奈米金屬粒子之溶液，令該等奈米金屬粒子堆疊於該第二半導體層的該表面上；(c)乾燥該溶液；及(d)在該等奈米金屬粒子上沉積一導電性金屬氧化層。該第二型半導體層上所接合的部分該等帶電離子協同該等奈米金屬粒子及該導電性金屬氧化層足以令該發光二極體的一發光波段產生偏移。

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高光萃取率的發光二極管、導電膜，及導電膜的製作方法

材料系  武東星老師

本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極管，包含一個基板，一個形成在該基板的發光單元，一個形成在該發光單元的導電膜，及兩個分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。該導電膜包括一個能導電且透光的膜本體，及一個形成於該膜本體的堆棧結構。該堆棧結構由多個納米粒子週期性地排列堆棧，且所述納米粒子其中的多個與該膜本體的組成結構形成多個堆棧物，借該堆棧結構或所述堆棧物，與該發光單元間引發表面電漿共振而大幅提升發光二極管整體的光萃取率。本發明還提供該導電膜的製作方法。

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高光萃取率的發光二極體、導電膜，及導電膜的製作方法

材料系  武東星老師

本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極體，包含一基板、一形成在該基板的發光單元、一形成在該發光單元的導電膜，及二分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。特別地，該導電膜包括一能導電且透光的膜本體，及一形成於該膜本體的堆疊結構。該堆疊結構由複數奈米粒子週期性地排列堆疊，且該等奈米粒子其中之多數與該膜本體的組成結構形成複數堆疊物，藉該堆疊結構或該等堆疊物，與該發光單元間引發表面電漿共振而大幅提昇發光二極體整體的光萃取率。本發明還提供該導電膜的製作方法。

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高光萃取率的發光二極體、導電膜，及導電膜的製作方法

材料系  武東星老師

本發明主要提供一種高光萃取率的發光二極體，包含一基板、一形成在該基板的發光單元、一形成在該發光單元的導電膜，及二分別接觸連接該導電膜和該發光單元用以自外界提供電能的電極。特別地，該導電膜包括一能導電且透光的膜本體，及一形成於該膜本體的堆疊結構。該堆疊結構由複數奈米粒子週期性地排列堆疊，且該等奈米粒子其中之多數與該膜本體的組成結構形成複數堆疊物，藉該堆疊結構或該等堆疊物，與該發光單元間引發表面電漿共振而大幅提昇發光二極體整體的光萃取率。本發明還提供該導電膜的製作方法。

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發光二極體

材料系  武東星老師

一種發光二極體，包含：一個磊晶基材、一層發光層、一層電子穿隧層、一層電流擴散層，及一個電極單元，其特徵在於該電子穿隧層選自AlxIn1-xN，0<x<1為材料所構成且厚度不大於20nm，藉由該電子穿隧層的材料選擇及厚度控制，令電子可藉由穿隧效應，自該電流擴散層歐姆傳遞至該電子穿隧層，而可有效使得自該電流擴散層的電流可經由該電子穿隧層均勻且有效率的注入至該發光層，而可提升該發光二極體的發光效率。

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發光二極體

材料系  武東星老師

一種發光二極體，包含：一個磊晶基材、一層發光層、一層電子穿隧層、一層電流擴散層，及一個電極單元，其特徵在於該電子穿隧層選自 AlxIn1-xN，0<x<1 為材料所構成且厚度不大於 20nm，藉由該電子穿隧層的材料選擇及厚度控制，令電子可藉由穿隧效應，自該電流擴散層傳遞至該電子穿隧層，而可有效使得自該電流擴散層的電流可經由該電子穿隧層均勻且有效率的注入至該發光層，而可提升該發光二極體的發光效率。

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垂直導通式發光二極體的製作方法及其製品

材料系  武東星老師

垂直導通式發光二極體包含：磊晶基板、磊晶膜層結構、第一電極、反射層、第二電極層及散熱層。磊晶基板具第一、二板本體及鍵合於各板本體之第一表面間的黏結層。第一板本體具貫穿其第一表面及遠離黏結層的第二表面的內圍繞面。黏結層與第二板本體各具內環面。磊晶膜層結構形成於第二板本體之遠離黏結層的第二表面，並具導電性GaN層及內環面。內圍繞面與各內環面共同界定一空腔並裸露導電性GaN層於空腔外。第一電極形成於磊晶膜層結構。反射層覆蓋導電性GaN層。第二電極層覆蓋反射層、各內環面、內圍繞面及其第二表面。散熱層覆蓋第二電極層。

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磊晶基板的製作方法

材料系  武東星老師

本發明提供一種磊晶基板的製作方法，是用以於其上成長一磊晶膜層結構以構成一垂直導通式發光二極體，該磊晶膜層結構是由一以氮化鎵為主的材料所構成。該製作方法包含：(a)於一第一單晶板本體的一第一表面形成一第一鍵合層；(b)於一第二單晶板本體的一第一表面形成一第二鍵合層；(c)以熱壓法使該第一鍵合層與該第二鍵合層鍵合在一起並從而形成一黏結層；及(d)於該步驟(c)後，自該第二單晶板本體之一相反於其第一表面的第二表面薄化第二單晶板本體，第二單晶板本體的第二表面是用以成長該磊晶膜層結構。

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固態發光結構的製造方法

材料系  武東星老師

一種固態發光結構的製造方法，先在第一基板上形成氮化鎵系材料無法磊晶成長的犧牲層，再移除部分犧牲層的結構得到圖案化的犧牲層結構；然後以朝三維方向成長的磊晶生長自第一基板的預定區域形成由氮化鎵系材料構成的第一半導體結構、以朝橫向成長速度較快的磊晶生長自第一半導體結構向上形成第二半導體層、和由第二半導體層向上成長供電時發光的發光晶體層；在發光晶體層表面接合上第二基板後移除犧牲層結構形成蝕刻通道，再經由蝕刻通道移除第一基板、第二半導體層後，即製得連結在第二基板與發光晶體層的固態發光結構。

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磊晶用基板

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

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磊晶用基板

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

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光電元件之磊晶基板的分離方法

材料系  武東星老師

本發明提供光電元件之磊晶基板的分離方法，先於磊晶基材上形成具有多數間隔之膜體結構的犧牲膜後側向磊晶形成磊晶層，接著在磊晶層上形成將磊晶層定義出多數具有頂面之磊晶膜的遮罩層，再利用遮罩層的分隔自每一頂面向上形成與磊晶膜電連接的導電基塊，然後移除遮罩層並繼續移除對應於遮罩層的磊晶層層體結構，再濕蝕刻移除犧牲膜以及磊晶膜與磊晶基材連接處，即可讓磊晶層與磊晶基材分離得到多數具有粗糙面的光電元件半成品，最後於每一光電元件半成品上設置電極，即製得多數光電元件。

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低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

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低表面缺陷密度之磊晶基板

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞的磊晶層表面，該等第一凹洞是藉由濕式蝕刻劑對該第一磊晶層進行缺陷選擇性蝕刻形成，該等第一凹洞的孔徑寬度大小相近，該等阻擋塊移除速率不同於該第一磊晶層，該等阻擋塊分別填於每一第一凹洞中，以阻擋缺陷繼續延伸，且該等阻擋塊與該磊晶層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面，以提高磊晶品質。

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低表面缺陷密度之磊晶基板及其製造方法

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

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低表面缺陷密度之磊晶基板之製造方法

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

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磊晶基板的製造方法

材料系  武東星老師

一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化進而形成複數第一凹洞於第一磊晶層，利用複數阻擋塊填滿第一凹洞，再自第一磊晶層與阻擋塊共同構成的平面磊晶形成一第二磊晶層，接續蝕刻移除阻擋塊與該圖樣化膜層，弱化該第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除第一磊晶膜並將基板自第二磊晶膜剝離，利用弱化結構的第一磊晶膜有效提高移除效率。

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磊晶基板的製造方法

材料系  武東星老師

一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層，接續地蝕刻移除圖樣化膜層，弱化第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除該第一磊晶膜，最後蝕刻移除液化犧牲膜，以將基板自第二磊晶膜剝離，有效提高移除效率。

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光電元件之磊晶基板的分離方法

材料系  武東星老師

一種用於將盛鋼桶鋼液自流鋼嘴自然開口流出之填充砂粒結構。填充砂粒結構至少包含核心粉粒與殼層。殼層覆於核心粉粒外，且殼層之熔點低於核心粉粒之熔點或殼層與鋼業之共晶點溫度，或者是，殼層與鋼液之共晶點溫度低於核心粉粒之熔點。核心粉粒為鉻礦砂、鋁礦砂、鋯礦砂、鎂礦砂、矽礦砂或上述任意組合。殼層材質為矽礦砂、鐵礦砂、鈣礦砂、鈉礦砂、鉀礦砂、鋁礦砂、鎂礦砂或上述任意組合。

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磊晶用基板及其製作方法

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每 n 個晶面構 成一角錐形的凹孔，n 是不小於 3 的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一 最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於 500nm，當使用本發明進行磊晶 時，是自該等晶面成核後成長並聚集，而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成 長，而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體，進而提升以此磊晶用基板製作出的元件 的工作效能。

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具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1<x≦0.6，而後，於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層，利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能，而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱，為非晶體結構，因此該氧化鎵犧牲層容易被移除，提高整體製程效率。

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具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1<x≦0.6，而後，於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層，利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能，而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱，為非晶體結構，因此該氧化鎵犧牲層容易被移除，提高整體製程效率。

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具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫時磊晶層，而後，於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層，再來，於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層，透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方，因此，後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時，不至過度蝕刻該磊晶結構層，進而維持光電元件品質。

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具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫時磊晶層，而後，於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層，再來，於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層，透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方，因此，後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時，不至過度蝕刻該磊晶結構層，進而維持光電元件品質。

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具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫時磊晶層，而後，於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層，再來，於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層，透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方，因此，後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時，不至過度蝕刻該磊晶結構層，進而維持光電元件品質。

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磊晶元件的製作方法

材料系  武東星老師

一種磊晶元件的製作方法，包含：（a）於磊晶用基板上形成犧牲膜；（b）將犧牲膜定義出犧牲結構，並在移除犧牲膜的部分結構時使基板裸露出的區域具有多數彼此相連結的凸部與凹部；（c）於犧牲結構與凸部向上磊晶形成底面與該些凹部形成間隙的磊晶層體；（d）自磊晶層體上形成導電基材，及將導電基材、磊晶層體定義出多數磊晶元件的圖樣流道；及（e）經圖樣流道與間隙蝕刻移除犧牲結構並讓磊晶元件與基板分離，得到多數磊晶元件。

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圖案化基板及其構成的發光二極體

材料系  武東星老師

一種圖案化基板，由藍寶石為主要材料，且具有一頂面、複數由該頂面往下延伸且間隔排列的圍繞面、複數分別連結圍繞面下緣的基面，及複數分別自每一基面向上形成的凸柱，以該圖案化基板向上磊晶形成於供電時發光的磊晶層體，及設置供電的電極單元而成的發光二極體，因該圖案化基板的圍繞面、基面與凸柱的配合，可得到較佳磊晶品質的磊晶層體，並可以改變該磊晶層體發出並向該圖案化基板方向行進的光的行進方向，而有效提升發光二極體正向發光亮度。

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磊晶用基板及其製作方法

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每n個晶面構成一角錐形的凹孔，n是不小於3的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於500nm，當使用本發明進行磊晶時，是自該等晶面成核後成長並聚集，而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成長，而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體，進而提升以此磊晶用基板製作出的元件的工作效能。

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具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法

材料系  武東星老師

一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於一第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫時磊晶層，而後，於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層，再來，於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層，透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方，因此，後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時，不至過度蝕刻該磊晶結構層，進而維持光電元件品質。

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磊晶元件的製作方法

材料系  武東星老師

一種磊晶元件的製作方法，包含：（a）於磊晶用基板上形成犧牲膜；（b）將犧牲膜定義出犧牲結構，並在移除犧牲膜的部分結構時使基板裸露出的區域具有多數彼此相連結的凸部與凹部；（c）於犧牲結構與凸部向上磊晶形成底面與該些凹部形成間隙的磊晶層體；（d）自磊晶層體上形成導電基材，及將導電基材、磊晶層體定義出多數磊晶元件的圖樣流道；及（e）經圖樣流道與間隙蝕刻移除犧牲結構並讓磊晶元件與基板分離，得到多數磊晶元件。

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磊晶用基板的製造方法

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材料構成的膜區，膜區具有複數形成於奈米材料間的第二通道，藉由第一、二通道讓蝕刻劑快速通入並蝕刻犧牲膜，進而有效降低移除基材的工時。

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發光元件模組的製作方法

材料系  武東星老師

一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的導流溝，(e)將永久基板設置在該等發光單元上，且將導流溝形成導流道(f)將蝕刻劑通入該等導流道中蝕刻移除犧牲層，而使基材與該等發光單元分離，製得發光元件模組。

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光電元件的製造方法

材料系  武東星老師

一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻犧牲膜，使基材與光電半導體磊晶膜分離，由於在成長光電半導體磊晶膜前即完成通道的製作，以保持基板完整使其能重複使用，且省去多餘的貼合工時，並維持快速蝕刻移除犧牲膜的功效。

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磊晶用基板

材料系  武東星老師

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

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低表面缺陷密度之磊晶基板

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞的磊晶層表面，該等第一凹洞是藉由濕式蝕刻劑對該第一磊晶層進行缺陷選擇性蝕刻形成，該等第一凹洞的孔徑寬度大小相近，該等阻擋塊移除速率不同於該第一磊晶層，該等阻擋塊分別填於每一第一凹洞中，以阻擋缺陷繼續延伸，且該等阻擋塊與該磊晶層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面，以提高磊晶品質。

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低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法

材料系  武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

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高光取出率之固態發光元件

材料系  武東星老師

本發明提供一種高光取出率之固態發光元件，包含：一圖案化藍寶石單晶基材、一疊置於該圖案化藍寶石單晶基材並為六方晶系的緩衝層，及一疊置於該緩衝層的固態發光件。該圖案化藍寶石單晶基材具有複數凹槽定義面以定義出複數凹槽。每一凹槽定義面具有三依序連接的傾斜側面部或四依序連接的傾斜側面部。該緩衝層具有一連接該圖案化藍寶石單晶基材的第一層區及複數分別填置於該等凹槽內的第二層區。

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植物品種權

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技術移轉

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固態發光結構的製造方法

材料系    武東星  洪瑞華  潘俊廷教授 

一種固態發光結構的製造方法，先在第一基板上形成氮化鎵系材料無法磊晶成長的犧牲層，再移除部分犧牲層的結構得到圖案化的犧牲層結構；然後以朝三維方向成長的磊晶生長自第一基板的預定區域形成由氮化鎵系材料構成的第一半導體結構、以朝橫向成長速度較快的磊晶生長自第一半導體結構向上形成第二半導體層、和由第二半導體層向上成長供電時發光的發光晶體層；在發光晶體層表面接合上第二基板後移除犧牲層結構形成蝕刻通道，再經由蝕刻通道移除第一基板、第二半導體層後，即製得連結在第二基板與發光晶體層的固態發光結構。

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提升紫外光發光二極體外部量子效率之方法

材料系    武東星教授 

提供一具有表面電漿共振效應之透明導電薄膜，該薄膜可用透明導電氧化物薄膜嵌入奈米金屬堆疊層形成，當作歐接觸層。由於金屬奈米粒子塗層可形成區域性表面電漿，並與橫向磁波™偏振光產生耦合效應，可有效提升紫外光發光二極體元件光萃取效率。

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磊晶元件的製作方法

材料系    武東星教授  洪瑞華教授 

一種製造半導體器件的方法，包括：（a）形成分層結構，該分層結構包括臨時基板，臨時基板上的多個間隔開的犧牲膜區域，以及犧牲膜區域中的多個谷峰區域;（b）在犧牲膜區域和谷-峰區域上橫向和磊晶生長磊晶膜層，其中在磊晶膜層和谷-峰區域之間形成間隙;（c）形成導電層以接觸磊晶膜層;（d）形成多個凹槽，以將磊晶膜層和導電層分成臨時基板上的多個磊晶結構。

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具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置

材料系    武東星教授  洪瑞華教授  陳亘延  廖宗聘 

一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置，用於控制多種電器產品，包含框架、設置於框架中的主電路板，及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組，及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時，能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組，以維持按鍵組件的運作功能。

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亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置

材料系    武東星教授  洪瑞華教授  陳柏瑋 

亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層，更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第

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大面積被動式微發光二極體陣列顯示器

材料系    武東星教授  洪瑞華教授  陳柏瑋  袁碩璜 

一種大面積被動式微發光二極體陣列顯示器，包括數各具基板、微發光陣列及陣列用絕緣層的微發光二極體陣列，及具載板、數第

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垂直導通結構發光二極體的製作方法及其製品

精密工程研究所、材料科學與工程學系    洪瑞華  武東星教授 

本發明主要提供一種垂直導通結構發光二極體的製作方法，先於氧化鋁單晶基材上形成至少二層二維石墨烯結構後，以鍍膜技術形成將石墨烯結構嵌覆且晶體結構與氮化鎵系列半導體材料相匹配的緩衝磊晶結構而製作出磊晶用分裂層體，然後用磊晶技術磊晶成長由氮化鎵系列半導體材料構成的磊晶層體，再用導電材料形成與磊晶層體電連接的永久基材，之後，令磊晶用分裂層體沿該等石墨烯結構間崩裂分離而使氧化鋁單晶基材被移除，最後用導電材料於磊晶用分裂層體崩裂分離的結構面上形成與磊晶層體電連接的電極，製作得到垂直導通結構發光二極體。

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無電極遮光的發光二極體及其製作方法

精密工程研究所、材料科學與工程學系    洪瑞華  武東星教授 

一種無電極遮光的發光二極體的製作方法，主要是將第一電極製作於發光區外，並利用將第一電極事先製作出一形成於第一型第一半導體層裸露之表面的延伸電極，因此，製得的發光二極體無習知電極遮光的問題，且當後續欲利用該發光二極體進行封裝時，即可藉由外露之延伸電極進行打線，而可解決習知覆晶封裝時對位不易的問題。此外，本發明還提供一種無電極遮光的發光二極體。

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