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物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明係揭露一種介電質薄片之等效物理厚度取得方法，其施加調制電壓至半導體電容器與第一平板電容器上，以量測半導體電容器與第一平板電容器所對應之第一掃描電容顯微訊號。接著以第二平板電容器取代第一平板電容器，以量測半導體電容器與第二平板電容器所對應之第二掃描電容顯微訊號。最後以第三平板電容器取代第二平板電容器，以量測半導體電容器與第三平板電容器所對應之第三掃描電容顯微訊號。根據上述訊號及第一平板電容器與第二平板電容器之介電質薄片的等效物理厚度，取得第三平板電容器之介電質薄片之等效物理厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。