技術摘要
本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。
校內編號
112PF1008X
專利國家
日本
專利類型
發明
專利證號
特許字第7563702號
成果來源
產學合作