技術摘要
本發明係揭露一種介電質薄片之等效物理厚度取得方法，其施加調制電壓至半導體電容器與第一平板電容器上，以量測半導體電容器與第一平板電容器所對應之第一掃描電容顯微訊號。接著以第二平板電容器取代第一平板電容器，以量測半導體電容器與第二平板電容器所對應之第二掃描電容顯微訊號。最後以第三平板電容器取代第二平板電容器，以量測半導體電容器與第三平板電容器所對應之第三掃描電容顯微訊號。根據上述訊號及第一平板電容器與第二平板電容器之介電質薄片的等效物理厚度，取得第三平板電容器之介電質薄片之等效物理厚度。
校內編號
112PF0017X
專利國家
中華民國
專利類型
發明
專利證號
I800932
成果來源
產學合作