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具有通道應力源之N型與P型鍺場效電晶體以及半導體結構

光電所  張書通老師

一種P型鍺場效電晶體，此P型鍺場效電晶體係由半導體結構形成，且半導體結構包括通道層、源極、汲極、高介電係數氧化物以及閘極。通道層係以鍺作為材料。源極形成於通道層中或通道層上，係以鍺錫合金作為材料。汲極形成於通道層中或通道層上，係以鍺錫合金作為材料。高介電係數氧化物形成通道層上，且於水平方向上，介於源極與汲極之間。閘極形成於高介電係數氧化物上，且於水平方向上，介於源極與汲極之間。P型鍺場效電晶體的通道寬度與通道長度的比例大於等於5。

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半導體裝置

光電所  張書通老師

一種半導體裝置，包含：基板；閘極堆疊，設置於該基板上方；及源極及汲極，鄰近設置於該閘極堆疊的兩側。該閘極堆疊包括：第一鐵電層；第一介電層，設置於該第一鐵電層上方；第二鐵電層，設置於該第一介電層上方；及第一導電層，設置於該第二鐵電層上方。所述半導體裝置可在不大幅增加裝置厚度的情況下，擴大記憶體視窗，提升裝置的效能。

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半導體裝置

電機系  張書通老師

本申請係關於一種半導體裝置。該半導體裝置包含：基板；閘極堆疊，設置於該基板上方；及源極與汲極，鄰近設置於該閘極堆疊的兩側。該閘極堆疊包括：第一導電層；第一鐵電層，設置於該第一導電層上方；第二鐵電層，設置於該第一鐵電層上方；及第二導電層，設置於該第二鐵電層上方。本申請之半導體裝置具有低次臨限擺幅、可消除遲滯現象且可同時改良啟動電流等優點。

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半導體裝置

電機系  張書通老師

本申請係關於一種半導體裝置。該半導體裝置包含：基板；閘極堆疊，設置於該基板上方；及源極與汲極，鄰近設置於該閘極堆疊的兩側。該閘極堆疊包括：第一導電層；第一鐵電層，設置於該第一導電層上方；第二鐵電層，設置於該第一鐵電層上方；及第二導電層，設置於該第二鐵電層上方。本申請之半導體裝置具有低次臨限擺幅、可消除遲滯現象且可同時改良啟動電流等優點。

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