技術摘要
一種P型鍺場效電晶體，此P型鍺場效電晶體係由半導體結構形成，且半導體結構包括通道層、源極、汲極、高介電係數氧化物以及閘極。通道層係以鍺作為材料。源極形成於通道層中或通道層上，係以鍺錫合金作為材料。汲極形成於通道層中或通道層上，係以鍺錫合金作為材料。高介電係數氧化物形成通道層上，且於水平方向上，介於源極與汲極之間。閘極形成於高介電係數氧化物上，且於水平方向上，介於源極與汲極之間。P型鍺場效電晶體的通道寬度與通道長度的比例大於等於5。
校內編號
110PC0030N
專利國家
中華民國
專利類型
新型
專利證號
M627833
成果來源
國科會