技術內容
本發明係提出一種低溫結晶之透明導電薄膜製造方法及其利用該方法製成之導電薄膜。其中該方法係以氧化銦為主要成分之一靶材對一基板進行物理氣相沉積，其特徵在於：該靶材包含一二氧化錫成分及一過渡元素氧化物成分，且該二氧化錫相對該靶材整體之重量百分比小於或等於8wt.%；該過渡元素氧化物相對該靶材整體之重量百分比小於或等於2.5wt.%，其中該過渡元素氧化物種類為涵蓋四價或四價以上元素之氧化物，又該物理氣相沉積之環境溫度係可於室溫下進行。藉此，可於一般室溫下於該基板上形成結晶態之薄膜，且該薄膜具有低電阻、高光透之物理特性。
廠商資格
（一）廠商業別：光電或材料相關產業
（二）應具備之專門技術：材料製作、靶材製作或薄膜沉積技術
（三）應有之機具設備：不限制
（四）應有之研究或技術人員人數：1人以上
預期利用範圍
材料