技術內容
一種製造半導體器件的方法，包括：（a）形成分層結構，該分層結構包括臨時基板，臨時基板上的多個間隔開的犧牲膜區域，以及犧牲膜區域中的多個谷峰區域;（b）在犧牲膜區域和谷-峰區域上橫向和磊晶生長磊晶膜層，其中在磊晶膜層和谷-峰區域之間形成間隙;（c）形成導電層以接觸磊晶膜層;（d）形成多個凹槽，以將磊晶膜層和導電層分成臨時基板上的多個磊晶結構。
廠商資格
1、廠商業別：光電產業
2、應具備之專門技術：磊晶技術元件製程技術
3、應有之機具設備：有機金屬氣相磊晶反應設備、黃光微影設備、金屬蒸鍍/濺鍍設備、化學蝕刻設備等
4、應有之研究或技術人員人數：10人
5、其他：無
預期利用範圍
發光二極體元件、光電感測器、雷射二極體、…等光電半導體產品。