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物理系   何孟書老師

本發明提供一種於基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列的方法,其包括以下之步驟:(1)提供一基板;(2)在真空環境下將該基板加熱至約200℃至約1000℃;及(3)提供一碳簇分子奈米粉末,並在該真空環境下藉由物理氣相沈積法將該碳簇分子奈米粉末沈積在該基板表面上,從而於該基板表面上形成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列。本發明亦提供一種由此製得之碳簇分子陣列嵌入式基板,其具有優異之場發射性能,可作為場發射器用於任何場發射顯示器(Field Emission Display;FED)中。最後,本發明亦提供一種由此製得之碳簇分子陣列嵌入式基板,其可替代碳化半導體材料,作為光電元件及高溫、高功率、抗高溫或高頻率電子元件之用。

物理系   何孟書老師

本發明提供一種於基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列的方法,其包括以下之步驟:(1)提供一基板;(2)在真空環境下將該基板加熱至約200℃至約1000℃;及(3)提供一碳簇分子奈米粉末,並在該真空環境下藉由物理氣相沈積法將該碳簇分子奈米粉末沈積在該基板表面上,從而於該基板表面上形成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列。本發明亦提供一種由此製得之碳簇分子陣列嵌入式基板,其具有優異之場發射性能,可作為場發射器用於任何場發射顯示器(Field Emission Display;FED)中。最後,本發明亦提供一種由此製得之碳簇分子陣列嵌入式基板,其可替代碳化半導體材料,作為光電元件及高溫、高功率、抗高溫或高頻率電子元件之用。

物理系   何孟書老師

本發明是製作一個增強硬度並適合生物生長的人造皮膚基板，並將生物細胞放於上方進行奈米機械特性量測。利用dielectrophoresis法將MWNTs稀釋分散的植入一種適合生物細胞生長類似皮膚組織的SU-8中。接著再將NIH-3T3(小鼠成纖維母細胞)放於此基板上生長，並使用OM(光學顯微鏡)與FM(螢光顯微鏡)觀測細胞的生長情形，發現此基板非常適合生物細胞生長。進而使用AFM(原子力顯微鏡) 使用AFM去觀察SU-8的表面形貌，並測量表面應力值。我們發現當植入MWNTs後，發現SU-8會因為含有MWNTs

物理系   何孟書老師

本發明提供一種於基板表面生成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列的方法，其包括以下之步驟： (1) 提供一基板； (2) 在真空環境下將該基板加熱至約200℃至約1000℃；及 (3) 提供一碳簇分子奈米粉末，並在該真空環境下藉由物理氣相沈積法將該碳簇分子奈米粉末沈積在該 基板表面上，從而於該基板表面上形成自組裝且高度均勻之碳簇分子陣列。 本發明亦提供一種由此製得之碳簇分子陣列嵌入式基板，其具有優異之場發射性能，可作為場發射器用於任何場發射顯示器(Field Emission Display；FED)中。 最後，本發明亦提供一種由此製得之碳簇分子陣列嵌入式基板，其可替代碳化半導體材料，作為光電元件及高溫、高功率、抗高溫或高頻率電子元件之用。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

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物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

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物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。

物理系   張茂男老師

本發明揭露一種介電層之等效氧化層厚度取得方法，其提供包含一第一二氧化矽層之一第一半導體電容器與包含一第二二氧化矽層之一第二半導體電容器，並施加調制電壓至兩個半導體電容器上，以量測第一掃描電容顯微訊號與第二掃描電容顯微訊號。根據二氧化矽層之等效氧化層厚度與掃描電容顯微訊號計算一阻抗比例，並施加調制電壓至包含一介電層之一第三半導體電容器上，以量測第三掃描電容顯微訊號。最後，根據第一二氧化矽層之等效氧化層厚度、第一掃描電容顯微訊號、第三掃描電容顯微訊號與阻抗比例取得介電層之等效氧化層厚度。