雙面粗化垂直導通式發光二極體及其製作方法
097PC088本發明提供雙面粗化垂直導通式發光二極體及其製作方法,先粗化於磊晶基板上磊晶成長之磊晶膜的第一表面並設置頂電極,接著將暫時基板貼上並移除磊晶基板,然後以高低落差不小於300nm的條件粗化磊晶膜裸露出另一第二表面,再將永久基板接觸粗化後的第二表面,並利用光學等級的黏著層填置永久基板與第二表面之間而黏結二者,最後移除暫時基板,即製得雙面粗化垂直導通式發光二極體;本發明藉著粗化的第二表面與永久基板形成非全面的歐姆接觸,可以有效調整電能通過磊晶膜的分佈狀況,提昇磊晶膜的量子效應,進而提高發光二極體的發光效能。
具有可反射光之黏著層的發光二極體晶片
097PC063本發明具有可反射光之黏著層的發光二極體晶片包含基材、提供電能時以光電效應產生光的磊晶膜、連結基材與磊晶膜的黏著層,及對磊晶膜提供電能的電極單元,磊晶膜的底面與頂面經過粗化而具有100nm以上的粗糙度而使光容易被取出,黏著層由具有高熱傳導係數的微粒與膠材所構成,微粒尺寸大於磊晶膜的發光波長並具有高光反射率,且折射係數大於空氣與膠材,膠材的折射係數大於空氣但小於磊晶層,藉此反射光而使光更無向性地自磊晶膜頂面射出,提昇光取出率與發光亮度,同時藉微粒與膠材將廢熱傳導至基材,解決元件熱堆積的問題。
具有熱導基板的平面導通式發光二極體的製作方法
097PC026本發明提供具有熱導基板的平面導通式發光二極體的製作方法,是在磊晶氮化鎵系材料的磊晶基材上,用與氮化鎵系材料相匹配且蝕刻選擇比高的材料構成犧牲層,接著自犧牲層向上形成可以光電效應產生光的氮化鎵系材料的磊晶膜單元,然後將一塊暫時基板貼合在磊晶膜單元,之後,蝕刻掉犧牲層,再將由熱傳導係數高的材料構成的熱導基板貼合在磊晶膜上且將暫時基板移除,即製得具有熱導基板的平面導通式發光二極體,這樣製作出的平面導通式發光二極體,因為可藉著熱導基板的高熱傳導特性,而使元件更穩定地作動、具有更長的實際工作壽命。
固態發光結構的製造方法
材料系 武東星  洪瑞華  潘俊廷教授 
一種固態發光結構的製造方法,先在第一基板上形成氮化鎵系材料無法磊晶成長的犧牲層,再移除部分犧牲層的結構得到圖案化的犧牲層結構;然後以朝三維方向成長的磊晶生長自第一基板的預定區域形成由氮化鎵系材料構成的第一半導體結構、以朝橫向成長速度較快的磊晶生長自第一半導體結構向上形成第二半導體層、和由第二半導體層向上成長供電時發光的發光晶體層;在發光晶體層表面接合上第二基板後移除犧牲層結構形成蝕刻通道,再經由蝕刻通道移除第一基板、第二半導體層後,即製得連結在第二基板與發光晶體層的固態發光結構。
閱讀詳細內容磊晶元件的製作方法
一種製造半導體器件的方法,包括:(a)形成分層結構,該分層結構包括臨時基板,臨時基板上的多個間隔開的犧牲膜區域,以及犧牲膜區域中的多個谷峰區域;(b)在犧牲膜區域和谷-峰區域上橫向和磊晶生長磊晶膜層,其中在磊晶膜層和谷-峰區域之間形成間隙;(c)形成導電層以接觸磊晶膜層;(d)形成多個凹槽,以將磊晶膜層和導電層分成臨時基板上的多個磊晶結構。
閱讀詳細內容具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置
材料系 武東星教授  洪瑞華教授  陳亘延  廖宗聘 
一種具有螢幕顯示按鍵的多功能控制裝置,用於控制多種電器產品,包含框架、設置於框架中的主電路板,及多數按鍵組件。各按鍵組件設置於主電路板並包括具有連接座的電路板、設置於電路板的接觸開關、架設於接觸開關上的輔助套、穿設於輔助套的驅動電路板、連接驅動電路板的顯示模組,及透光蓋。驅動電路板具有可拆卸地接合於其所對應之連接座的連接件。當其中一按鍵組件損毀時,能輕易地汰換驅動電路板與顯示模組,以維持按鍵組件的運作功能。
閱讀詳細內容亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置
材料系 武東星教授  洪瑞華教授  陳柏瑋 
亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置包括微發光二極體陣列及外部線路組件。微發光二極體陣列包括基板、數沿Y方向間隔佈滿基板的微發光陣列及陣列用絕緣層。各微發光陣列依序具一沿X方向延伸於基板的第一層、數間隔的發光層、第二層、第一內電極層,更具一延伸於第一層並具間隔圍繞發光層的基部及自基部凸伸之凸部的第二內電極層。陣列用絕緣層覆蓋基板並裸露第
閱讀詳細內容大面積被動式微發光二極體陣列顯示器
材料系 武東星教授  洪瑞華教授  陳柏瑋  袁碩璜 
一種大面積被動式微發光二極體陣列顯示器,包括數各具基板、微發光陣列及陣列用絕緣層的微發光二極體陣列,及具載板、數第
閱讀詳細內容垂直導通結構發光二極體的製作方法及其製品
精密工程研究所、材料科學與工程學系 洪瑞華  武東星教授 
本發明主要提供一種垂直導通結構發光二極體的製作方法,先於氧化鋁單晶基材上形成至少二層二維石墨烯結構後,以鍍膜技術形成將石墨烯結構嵌覆且晶體結構與氮化鎵系列半導體材料相匹配的緩衝磊晶結構而製作出磊晶用分裂層體,然後用磊晶技術磊晶成長由氮化鎵系列半導體材料構成的磊晶層體,再用導電材料形成與磊晶層體電連接的永久基材,之後,令磊晶用分裂層體沿該等石墨烯結構間崩裂分離而使氧化鋁單晶基材被移除,最後用導電材料於磊晶用分裂層體崩裂分離的結構面上形成與磊晶層體電連接的電極,製作得到垂直導通結構發光二極體。
閱讀詳細內容無電極遮光的發光二極體及其製作方法
精密工程研究所、材料科學與工程學系 洪瑞華  武東星教授 
一種無電極遮光的發光二極體的製作方法,主要是將第一電極製作於發光區外,並利用將第一電極事先製作出一形成於第一型第一半導體層裸露之表面的延伸電極,因此,製得的發光二極體無習知電極遮光的問題,且當後續欲利用該發光二極體進行封裝時,即可藉由外露之延伸電極進行打線,而可解決習知覆晶封裝時對位不易的問題。此外,本發明還提供一種無電極遮光的發光二極體。
閱讀詳細內容微晶粒製作技術
中文摘要 紅光微晶粒發光二極體製作與磊晶膜轉移至透明基板, 藉以製作成水平電極覆晶型發光二極體 英文摘要 Technologies development for microchip red light emitting diodes (LEDs). It contains how to fabricate the micro-chip red light LEDs, epilayer transferring to transparent substrate and flip-chip LEDs.
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