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本發明提供一種發光二極體，包含一基板與依序形成的一發光單元、一視窗層、一增亮單元，及一與該發光單元形成電連接的電極單元；該視窗層具有一粗糙表面，且該增亮單元包括多個形成於該粗糙表面上的凸部。此外，本發明還提供一種發光二極體的製作方法，包含以下步驟：準備一包括一基板、一發光單元、一視窗層，及一電極單元的發光元件；於該視窗層的表面形成多數個奈米球，並以該等奈米球為遮罩對該視窗層的表面進行蝕刻，使該視窗層形成一粗糙表面；改變該等奈米球的形態，使其轉變為具有弧狀表面的凸部而形成一位於該視窗層上的增亮單元。

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本發明提供一種加強型高電子遷移率電晶體，包含：一個基板、一個半導體單元、一個帶負電層、一個介電層，及一個電極單元。該半導體單元形成於該基板表面，具有一遠離該基板的上表面，該帶負電層具有複數負電荷，形成於該半導體單元部份的上表面往下的區域。該介電層設置於部分的該半導體單元的上表面，並覆蓋該帶負電層。

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本發明提供一種薄膜型發光二極體的製作方法，包含：一個提供步驟、一個暫時基板形成步驟、一個基板移除步驟，及一個透光層形成步驟。首先，該提供步驟是提供一薄膜型發光二極體結構，該薄膜型發光二極體結構包括一基板、一形成於該基板表面的發光單元，以及一形成於該發光單元頂面的電極單元。接著，該暫時基板形成步驟是將一暫時基板連接於該發光單元的頂面形成一暫時結構，再接著，該基板移除步驟是將該基板移除，令該發光單元與該基板接觸的底面露出。最後，透光層形成步驟是於該發光單元的底面上形成一層透光層。本發明還提供一種薄膜型發光二極體。

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一種雙面吸光太陽能電池，包含：一透光基板、一光吸收單元，與一電極單元。該光吸收單元具有一本質層、圖案化的一第一、二型半導體層，及一電極單元，該第一、二型半導體層分別形成於該本質層的第一、二表面，該電極單元具有分別形成於該第一、二型半導體層表面的第二、一電極，該光吸收單元藉由該第一電極與該透光基板電連接，且該光吸收單元的正投影面積小於該透光基板的表面積。此外，本發明還提供該雙面吸光太陽能電池的製作方法，及一由多個雙面吸光太陽能電池疊置而得的多接面太陽能電池模組。

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A light emitting diode includes: an electrically conductive permanent substrate having a reflective top surface; an epitaxial film disposed on the reflective top surface of the permanent substrate and having an upper surface and a roughened lower surface that is opposite to the upper surface, the roughened lower surface having a roughness with a height of not less than 300 nm and a plurality of peaks which are in ohmic contact with the reflective top surface; an optical adhesive filled in a gap between the lower surface and the reflective top surface and connecting the epitaxial film to the permanent substrate; and a top electrode disposed on the upper surface and in ohmic contact with the epitaxial film.

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一種量測裝置包含一光學單元、一位置偵測器，及一運算單元，該光學單元發射連續的雷射光束至一待測物體的表面並產生複數反射光，該位置偵測器用以接收該等反射光且包括一第一、第二電極，每一反射光分別在該第一、第二電極形成一第一、第二電流，該運算單元電連接該位置偵測器以接收每一第一、第二電流，且將該第一、第二電流分別進行相減、相加來產生一減法信號，及一加法信號，該運算單元根據該等減法信號與該等加法信號進行運算來得到該待測物體的表面的曲率，其中該曲率與該減法信號成正比，且與該加法信號成反比。

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一種光學量測裝置包含一光學模組、一微分單元、一比較單元，及一計算器，該光學模組發射一雷射光束至一待測物體的表面產生一相關於表面的反射光，且該反射光與該雷射光束產生一自混干涉信號，並該光學模組偵測該自混干涉信號以得到一偵測信號，該微分單元電連接該光學模組以接收該偵測信號，並將該偵測信號進行微分來產生一微分信號，該比較單元電連接該微分單元以接收該微分信號，並根據該微分信號產生一準位信號，該計算器電連接該比較單元以接收該準位信號，並將每一準位信號進行累加計算，得到一相關於待測物體的表面形貌的資訊。

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一種高電壓 LED 發光裝置，包含一基板、多個彼此呈一間隙，間隔設置於該基板的表面的第一、二發光單元、多個第一絕緣層，分別位於該等第一、二發光單元之間的間隙、多個跨越位於該等第一絕緣層表面的導電層、一個延伸電極單元，具有自其中一個第二發光單元的第一電極向上延伸的第一延伸電極，及一個自該另一個第二發光單元的第二電極向上延伸的第二延伸電極；及一個第二絕緣層，位於該第一、二延伸電極之間，覆蓋該發光模組及該等導電層的表面。

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一種多晶粒覆晶模組封裝方法，包含：(a)提供一個具有多組電連接孔的基板，且每一組電連接孔具有兩個導電塊；(b)準備一個發光模組，具有多個間隔設置於基板表面的 LED 發光單元，且每一個 LED 發光單元於對應其第一、二電極的位置分別具有一相同水平高度的接觸電極塊，其中，前述導電塊會與 LED 發光單元的接觸電極塊的位置相對應；(c)將發光模組利用接觸電極塊朝向基板的導電塊，令 LED 發光單元的接觸電極塊分別與電連接孔的導電塊電連接；(d)自基板的第二表面形成電連接線路，令該等 LED 發光單元對外電連接。

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本發明提供一種壓電感測元件的製作方法，包含(a)提供一基材，該基材具有一個基板、一層形成於該基板其中一表面的犧牲層，及一層形成於該犧牲層表面的底電極層，(b)於該底電極層的表面形成多個由壓電材料構成並具有壓電特性的奈米柱，(c)於該些奈米柱的間隙形成一層高分子緩衝層，及(d)移除該犧牲層，令該底電極層與該基板分離，即可完成該壓電感測元件的製作；此外，本發明還同時提供一種由該製作方法製得的壓電感測元件。

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一種高取光率之發光二極體包含：一基板、一覆蓋於基板的發光膜層、一視窗層、一增亮單元及一與該發光膜層形成電連接的電極單元。發光膜層具一遠離基板的出光面且能提供最高放射率之光源。視窗層形成於發光膜層的出光面並具一遠離發光膜層的粗糙表面。增亮單元是由一透光性氧化物所構成並具有一晶種層及多數奈米柱。晶種層是形成於視窗層的粗糙表面上，且奈米柱是自晶種層朝遠離視窗層的方向凸伸。透光性氧化物的折射率是介於1.4 至 3.5 間，以致於光源自奈米柱進入外界空氣所造成之全反射的臨界角，是因透光性氧化物之折射率及奈米柱的相互配合而增加並從而提升光源的取光率。

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一種無電極遮光的發光二極體的製作方法，主要是將第一電極製作於發光區外，並利用將第一電極事先製作出一形成於第一型第一半導體層裸露之表面的延伸電極，因此，製得的發光二極體無習知電極遮光的問題，且當後續欲利用該發光二極體進行封裝時，即可藉由外露之延伸電極進行打線，而可解決習知覆晶封裝時對位不易的問題。此外，本發明還提供一種無電極遮光的發光二極體。

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一種具有高散熱特性的發光元件的製作方法，將發光二極體晶片固置於暫時基板後形成圍覆發光二極體晶片側周面且厚度自發光二極體晶片向暫時基板方向遞減的犧牲層，接著用熱傳快的材料形成主膜體，並在主膜體堆積形成的過程中散佈多數熱傳更快、且粒徑屬奈米尺度範圍的導熱粒子於主膜體中，而使得主膜體和導熱粒子形成導熱膜，之後再自導熱膜向上形成表面實質平行於發光二極體晶片底面的基底，即製得由基底、導熱膜及發光二極體晶片構成且藉犧牲層與暫時基板連結的發光元件，最後移除犧牲層即得到具有高散熱特性的發光元件。

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本發明提供堆疊式太陽能電池的製造方法，首先於基板上形成照光時產生電能的第一光電轉換結構單元和汲取電能的第一連接電極與下電極，製作出第一光伏元件，接著於暫時基板上形成照光時產生電能的第二光電轉換結構單元和與第二光電轉換結構連接的第二連接電極，製作出第二光伏元件，然後將第一、二光伏元件以第一、二連接電極的投影相交錯地堆疊連結並成電導通，得到堆疊式太陽能電池半成品，最後移除暫時基板並製作頂電極，製作得到堆疊式太陽能電池。本發明還提供一種堆疊式太陽能電池。

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一種半導體發光晶片，包含基板、自外界提供電能時發光的磊晶層單元，及經外界對磊晶層單元提供電能的電極單元，基板具有由熱傳係數高於磊晶材的材料構成的本體，及由熱傳係數高於本體的構成材料的導熱材料構成的導熱體，本體包括相反的上表面、下表面，及自下表面形成的凹槽圖案，導熱體填置於凹槽圖案且表面與下表面共平面，磊晶層單元用半導體材料自一磊晶材磊晶形成後，再移轉連接於基板本體的上表面，藉本體和導熱體構成的基板，更快速將磊晶層單元作動時的廢熱經基板導離磊晶層單元，有效提升半導體晶片的作動穩定性與工作壽命。

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一種半導體元件的製造方法，首先選擇具有第一晶格常數的材料製備主體；接著再選擇分別具有第二、三晶格常數的材料，由主體向上形成至少一包括具有第二晶格常數的第一薄膜與具有第三晶格常數的第二薄膜的犧牲層結構而製得磊晶基板，且第一晶格常數界於第二、三晶格常數間，而令犧牲層結構與主體相連接的界面，及該第一、二薄膜的界面分別產生兩種方向相反的晶格應力；然後自磊晶基板的最頂面向上磊晶形成元件磊晶結構；再形成替代基板於元件磊晶結構上；最後蝕刻移除犧牲層結構使磊晶基板與元件磊晶結構相分離製得一半導體元件半成品。

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一種具有微透鏡的發光二極體晶粒元件的製作方法，包含(a)於磊晶基材向上磊晶形成供電時產生光的磊晶結構；(b)用可導電的材料於磊晶結構上形成和磊晶結構電連接的晶種結構；(c)佈設多數透光的微透鏡；(d)用可導電的材料形成和晶種結構連接並蓋覆微透鏡的基底結構；(e)移除磊晶基材；(f)用導電材料在移除磊晶基材後的磊晶結構表面形成電極；本發明還提供以上述製作方法製得的具有微透鏡的發光二極體晶粒元件。

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一種具有大發光面積的發光二極體封裝結構，包含導熱基底與至少一發光二極體晶粒，導熱基底可導電並包括頂面及自頂面延伸的外展面，外展面具有依序自頂面延伸的第一環面區與第二環面區，發光二極體晶粒於接受電能時將電能轉換為光能且具有與頂面連接的底面、遠離頂面的正向出光面、自底面斜向外且向上的斜面，及自斜面向上延伸而連接正向出光面的側面，所發出並穿經斜面、側面與反向於正向出光面的光被外展面反射，而與穿經正向出光面的光同向行進至外界。本發明利用外展面與斜面相配合大輻增加發光面積與發光亮度。

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本發明主要提供一種垂直導通結構發光二極體的製作方法，先於氧化鋁單晶基材上形成至少二層二維石墨烯結構後，以鍍膜技術形成將石墨烯結構嵌覆且晶體結構與氮化鎵系列半導體材料相匹配的緩衝磊晶結構而製作出磊晶用分裂層體，然後用磊晶技術磊晶成長由氮化鎵系列半導體材料構成的磊晶層體，再用導電材料形成與磊晶層體電連接的永久基材，之後，令磊晶用分裂層體沿該等石墨烯結構間崩裂分離而使氧化鋁單晶基材被移除，最後用導電材料於磊晶用分裂層體崩裂分離的結構面上形成與磊晶層體電連接的電極，製作得到垂直導通結構發光二極體。

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本發明提供堆疊式太陽能電池的製造方法，首先將第一光伏元件銲黏於座板上，並使其與座板電性串聯，接著以透明膠材進行封裝，然後將第二光伏元件的基材移除後黏置於透明膠材上，並與座板上的第一光伏元件電性串聯，而製得堆疊式太陽能電池，本發明以封裝膠材取代傳統堆疊式太陽能電池所需的特製支撐架，除了可降低成本外，也無須精準的電極對位，且堆疊在封裝膠材上的第二光伏元件已預先移除磊晶用的基材，而使第一光伏元件的結構設計有更大的空間，更有效利用未被第二光伏元件所吸收的入射光，以有效利用全波段的太陽光提升發電功率。