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材料系   武東星老師

一種磊晶元件的製作方法，包含：（a）於磊晶用基板上形成犧牲膜；（b）將犧牲膜定義出犧牲結構，並在移除犧牲膜的部分結構時使基板裸露出的區域具有多數彼此相連結的凸部與凹部；（c）於犧牲結構與凸部向上磊晶形成底面與該些凹部形成間隙的磊晶層體；（d）自磊晶層體上形成導電基材，及將導電基材、磊晶層體定義出多數磊晶元件的圖樣流道；及（e）經圖樣流道與間隙蝕刻移除犧牲結構並讓磊晶元件與基板分離，得到多數磊晶元件。

材料系   武東星老師

一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材料構成的膜區，膜區具有複數形成於奈米材料間的第二通道，藉由第一、二通道讓蝕刻劑快速通入並蝕刻犧牲膜，進而有效降低移除基材的工時。

材料系   武東星老師

一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的導流溝，(e)將永久基板設置在該等發光單元上，且將導流溝形成導流道(f)將蝕刻劑通入該等導流道中蝕刻移除犧牲層，而使基材與該等發光單元分離，製得發光元件模組。

材料系   武東星老師

一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻犧牲膜，使基材與光電半導體磊晶膜分離，由於在成長光電半導體磊晶膜前即完成通道的製作，以保持基板完整使其能重複使用，且省去多餘的貼合工時，並維持快速蝕刻移除犧牲膜的功效。

材料系   武東星老師

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

材料系   武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞的磊晶層表面，該等第一凹洞是藉由濕式蝕刻劑對該第一磊晶層進行缺陷選擇性蝕刻形成，該等第一凹洞的孔徑寬度大小相近，該等阻擋塊移除速率不同於該第一磊晶層，該等阻擋塊分別填於每一第一凹洞中，以阻擋缺陷繼續延伸，且該等阻擋塊與該磊晶層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面，以提高磊晶品質。

材料系   武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

材料系   武東星老師

本發明提供一種高光取出率之固態發光元件，包含：一圖案化藍寶石單晶基材、一疊置於該圖案化藍寶石單晶基材並為六方晶系的緩衝層，及一疊置於該緩衝層的固態發光件。該圖案化藍寶石單晶基材具有複數凹槽定義面以定義出複數凹槽。每一凹槽定義面具有三依序連接的傾斜側面部或四依序連接的傾斜側面部。該緩衝層具有一連接該圖案化藍寶石單晶基材的第一層區及複數分別填置於該等凹槽內的第二層區。