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材料系   武東星老師

一種固態發光結構的製造方法，先在第一基板上形成氮化鎵系材料無法磊晶成長的犧牲層，再移除部分犧牲層的結構得到圖案化的犧牲層結構；然後以朝三維方向成長的磊晶生長自第一基板的預定區域形成由氮化鎵系材料構成的第一半導體結構、以朝橫向成長速度較快的磊晶生長自第一半導體結構向上形成第二半導體層、和由第二半導體層向上成長供電時發光的發光晶體層；在發光晶體層表面接合上第二基板後移除犧牲層結構形成蝕刻通道，再經由蝕刻通道移除第一基板、第二半導體層後，即製得連結在第二基板與發光晶體層的固態發光結構。

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一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

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本發明提供光電元件之磊晶基板的分離方法，先於磊晶基材上形成具有多數間隔之膜體結構的犧牲膜後側向磊晶形成磊晶層，接著在磊晶層上形成將磊晶層定義出多數具有頂面之磊晶膜的遮罩層，再利用遮罩層的分隔自每一頂面向上形成與磊晶膜電連接的導電基塊，然後移除遮罩層並繼續移除對應於遮罩層的磊晶層層體結構，再濕蝕刻移除犧牲膜以及磊晶膜與磊晶基材連接處，即可讓磊晶層與磊晶基材分離得到多數具有粗糙面的光電元件半成品，最後於每一光電元件半成品上設置電極，即製得多數光電元件。

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一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

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一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞的磊晶層表面，該等第一凹洞是藉由濕式蝕刻劑對該第一磊晶層進行缺陷選擇性蝕刻形成，該等第一凹洞的孔徑寬度大小相近，該等阻擋塊移除速率不同於該第一磊晶層，該等阻擋塊分別填於每一第一凹洞中，以阻擋缺陷繼續延伸，且該等阻擋塊與該磊晶層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面，以提高磊晶品質。

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一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

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一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

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一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：先形成一圖樣化膜層於一基板上，使基板露出部分預定區域，接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層，然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩，將光阻圖樣化進而形成複數第一凹洞於第一磊晶層，利用複數阻擋塊填滿第一凹洞，再自第一磊晶層與阻擋塊共同構成的平面磊晶形成一第二磊晶層，接續蝕刻移除阻擋塊與該圖樣化膜層，弱化該第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除第一磊晶膜並將基板自第二磊晶膜剝離，利用弱化結構的第一磊晶膜有效提高移除效率。

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一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層，接續地蝕刻移除圖樣化膜層，弱化第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除該第一磊晶膜，最後蝕刻移除液化犧牲膜，以將基板自第二磊晶膜剝離，有效提高移除效率。

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一種用於將盛鋼桶鋼液自流鋼嘴自然開口流出之填充砂粒結構。填充砂粒結構至少包含核心粉粒與殼層。殼層覆於核心粉粒外，且殼層之熔點低於核心粉粒之熔點或殼層與鋼業之共晶點溫度，或者是，殼層與鋼液之共晶點溫度低於核心粉粒之熔點。核心粉粒為鉻礦砂、鋁礦砂、鋯礦砂、鎂礦砂、矽礦砂或上述任意組合。殼層材質為矽礦砂、鐵礦砂、鈣礦砂、鈉礦砂、鉀礦砂、鋁礦砂、鎂礦砂或上述任意組合。

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一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每 n 個晶面構 成一角錐形的凹孔，n 是不小於 3 的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一 最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於 500nm，當使用本發明進行磊晶 時，是自該等晶面成核後成長並聚集，而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成 長，而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體，進而提升以此磊晶用基板製作出的元件 的工作效能。

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一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1<x≦0.6，而後，於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層，利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能，而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱，為非晶體結構，因此該氧化鎵犧牲層容易被移除，提高整體製程效率。

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一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1<x≦0.6，而後，於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層，利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能，而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱，為非晶體結構，因此該氧化鎵犧牲層容易被移除，提高整體製程效率。

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一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫時磊晶層，而後，於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層，再來，於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層，透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方，因此，後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時，不至過度蝕刻該磊晶結構層，進而維持光電元件品質。

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一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫時磊晶層，而後，於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層，再來，於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層，透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方，因此，後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時，不至過度蝕刻該磊晶結構層，進而維持光電元件品質。

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一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫時磊晶層，而後，於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層，再來，於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層，透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方，因此，後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時，不至過度蝕刻該磊晶結構層，進而維持光電元件品質。

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一種磊晶元件的製作方法，包含：（a）於磊晶用基板上形成犧牲膜；（b）將犧牲膜定義出犧牲結構，並在移除犧牲膜的部分結構時使基板裸露出的區域具有多數彼此相連結的凸部與凹部；（c）於犧牲結構與凸部向上磊晶形成底面與該些凹部形成間隙的磊晶層體；（d）自磊晶層體上形成導電基材，及將導電基材、磊晶層體定義出多數磊晶元件的圖樣流道；及（e）經圖樣流道與間隙蝕刻移除犧牲結構並讓磊晶元件與基板分離，得到多數磊晶元件。

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一種圖案化基板，由藍寶石為主要材料，且具有一頂面、複數由該頂面往下延伸且間隔排列的圍繞面、複數分別連結圍繞面下緣的基面，及複數分別自每一基面向上形成的凸柱，以該圖案化基板向上磊晶形成於供電時發光的磊晶層體，及設置供電的電極單元而成的發光二極體，因該圖案化基板的圍繞面、基面與凸柱的配合，可得到較佳磊晶品質的磊晶層體，並可以改變該磊晶層體發出並向該圖案化基板方向行進的光的行進方向，而有效提升發光二極體正向發光亮度。

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一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每n個晶面構成一角錐形的凹孔，n是不小於3的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於500nm，當使用本發明進行磊晶時，是自該等晶面成核後成長並聚集，而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成長，而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體，進而提升以此磊晶用基板製作出的元件的工作效能。

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一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，於一第一基板上成長一圖樣化犧牲層，該第一基板部分面積露出，未受該圖樣化犧牲層遮蓋，接著，於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上，側向磊晶成長一暫時磊晶層，而後，於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層，再來，於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層，透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方，因此，後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時，不至過度蝕刻該磊晶結構層，進而維持光電元件品質。