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材料系   武東星老師

一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻犧牲膜，使基材與光電半導體磊晶膜分離，由於在成長光電半導體磊晶膜前即完成通道的製作，以保持基板完整使其能重複使用，且省去多餘的貼合工時，並維持快速蝕刻移除犧牲膜的功效。

材料系   武東星老師

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中，進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。

材料系   武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞的磊晶層表面，該等第一凹洞是藉由濕式蝕刻劑對該第一磊晶層進行缺陷選擇性蝕刻形成，該等第一凹洞的孔徑寬度大小相近，該等阻擋塊移除速率不同於該第一磊晶層，該等阻擋塊分別填於每一第一凹洞中，以阻擋缺陷繼續延伸，且該等阻擋塊與該磊晶層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面，以提高磊晶品質。

材料系   武東星老師

一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一磊晶層具有一界定該等第一凹洞的磊晶層平面，該等第一凹洞的徑寬彼此相近，然後形成一填滿該等第一凹洞的阻擋層，以阻隔差排向上延伸，再利用化學機械研磨法均勻地移除多餘阻擋層，至該磊晶層平面裸露並使得其更加平坦，而使該磊晶層平面與剩下的該阻擋層表面共同定義出一完整且平坦的磊晶基面。

材料系   武東星老師

本發明提供一種高光取出率之固態發光元件，包含：一圖案化藍寶石單晶基材、一疊置於該圖案化藍寶石單晶基材並為六方晶系的緩衝層，及一疊置於該緩衝層的固態發光件。該圖案化藍寶石單晶基材具有複數凹槽定義面以定義出複數凹槽。每一凹槽定義面具有三依序連接的傾斜側面部或四依序連接的傾斜側面部。該緩衝層具有一連接該圖案化藍寶石單晶基材的第一層區及複數分別填置於該等凹槽內的第二層區。

材料系   汪俊延老師

本發明係一種高效能熱電材料，包含有一鎂錫矽銻合金與一鎂鐵氧化物，該高效能熱電材料係由該鎂錫矽銻合金之粉末與該鎂鐵氧化物之粉末混合後燒結在一起，藉此，該高效能熱電材料具有較高的熱電優質，可有效提升熱電轉換之效率。

材料系   汪俊延老師

本發明提供一種不鏽鋼表面披覆層狀雙金屬氫氧化物之方法，利用噴砂的方式，使不鏽鋼表面奈米粗糙化，即可提供層狀雙金屬氫氧化物較佳的生長界面，並利用電沉積法，在不鏽鋼表面上成長高比表面積的層狀雙金屬氫氧化物，作為良好的觸媒載體。

材料系   汪俊延老師

本發明提供一種層狀雙金屬氫氧化物表面披覆觸媒之方法，其載體可不需經高溫鍛燒處理，而是藉由碳酸鎳所配製的鍍液，並預先通以氬氣來調整pH值至7.2±0.03後，再將層狀雙金屬氫氧化物浸入鍍液中，並進行氫氣還原處理，即可於層狀雙金屬氫氧化物表面披覆鎳觸媒。

材料系   汪俊延老師

本發明提供一種純矽溶解於液態鎂的方法，其包含提供一金屬原料、提供一金屬原料堆疊順序以及提供一熔煉製程步驟。金屬原料包含一含鎂材料、一含矽材料、一含錫材料以及一含銻材料。金屬原料堆疊順序係將含矽材料、含錫材料、含銻材料以及含鎂材料分別依序由底層往上堆疊於一坩鍋中。熔煉製程步驟係將含有金屬原料之坩鍋置於一高週波熔煉爐中，並加熱熔解金屬原料，以形成一混合液體原料。藉此，本發明可藉由金屬原料的堆疊順序，解決金屬原料之間熔點差異大的問題，並用以製備鎂基熱電材料。

材料系   汪俊延老師

本發明提供一種用於治療患有或易患高磷血症病人的醫藥組合物，其含有Mg-Fe-Cl HTln。在一實施例中，Mg-Fe-Cl HTln如式（I）所示。此醫藥組合物的磷吸納力大於 。本發明還提供經由使用此醫藥組合物來治療患有或易患高磷血症的病人的方法。 本發明還提供製造此醫藥組合物的方法。

材料系   汪俊延老師

本發明提供一種用於治療患有或易患高磷血症病人的醫藥組合物，其含有Mg-Fe-Cl HTln。在一實施例中，Mg-Fe-Cl HTln如式（I）所示。此醫藥組合物的磷吸納力大於 。本發明還提供經由使用此醫藥組合物來治療患有或易患高磷血症的病人的方法。 本發明還提供製造此醫藥組合物的方法。

材料系   汪俊延老師

一種熔融鋼液之脫硫方法，首先於電弧爐內提供一硫含量為重量百分比0.03至重量百分比0.06之熔融鋼液，於電弧爐內加熱此熔融鋼液，使之成為一溫度介於1600℃與1700℃之加熱熔融鋼液，以利進行接下來之脫硫反應。接著，添加脫硫劑至電弧爐中，使脫硫劑於加熱熔融鋼液之表面形成一覆蓋層，再加入碳粉，使覆蓋層因一氧化碳氣體而膨脹增厚，透過此增厚的覆蓋層，可有效阻隔空氣中的氧，並提供一良好的保溫作用，使加熱熔融鋼液不需再提供電力，便能直接於電弧爐內完成脫硫反應，而達到節省成本、精簡製程之目的。

材料系   汪俊延老師

一種盛鋼桶鋼水精鍊脫硫劑組成物，包含60-80重量百分比的氧化鈣粒料及20-40重量百分比的助劑。脫硫方法包括將盛鋼桶鋼水精鍊脫硫劑組成物應用於一硫含量為0.06重量百分比以下之鋼水，於1620-1630 ℃之間進行脫硫，利用助劑熔點遠低於鋼水溫度的特性，使熔融液化的助劑分佈在氧化鈣粒料周邊，有助於使氧化鈣快速固溶而形成液態熔渣並覆蓋在鋼水表面隔絕氧氣，可快速降低鋼水含硫量。上述使用過之脫硫渣亦可被再利用，作為助劑。助劑內含物不含CaF2(螢石)。

材料系   汪俊延老師

一種快速製備磷結合劑的方法及含磷結合劑的醫藥組合物，包含以三氯化鐵（FeCl3）與氫氧化鎂（Mg(OH)2）溶於酸溶液中（pH=0.2~1）後，再將酸鹼值調至鹼性（pH=9~10），即形成中間層陰離子為氯的鎂-鐵層狀雙層氫氧化物(Mg-Fe-Cl LDH）粉末的溶液。此鎂-鐵層狀雙層氫氧化物之粉末可應用於製備具有治療磷代謝障礙用途的醫藥組合物。

材料系   汪俊延老師

一種形成自組裝層狀雙氫氧化物薄膜的方法，包含將一非金屬基材浸置於一含Li＋陽離子及Al3+陽離子的澄清水溶液中，在大氣環境下於基材表面形成自組裝鋰-鋁層狀雙氫氧化物。

材料系   汪俊延老師

一種具軟磁性的鎂金屬，包含一自組裝可導磁層於一鎂金屬基材表面。一種軟磁性鎂金屬之製備方法包含在大氣環境下將鎂金屬浸置於一含有二氧化碳及鐵離子的第一碳酸溶液中，以及在大氣環境下浸於一鹼性的第二碳酸溶液中形成一可導磁層。

材料系   汪俊延老師

一種針對在盛鋼桶鋼水進行鋼水精鍊脫硫方法，包括將盛鋼桶鋼水精鍊後產出之脫硫渣直接加入另一鋼水中進行脫硫反應。盛鋼桶鋼水精鍊之脫硫渣作為一種脫硫劑，用於硫含量介於約0.06-0.03 wt.% 之間的鋼水脫硫。經過一次精鍊厚的脫硫渣，因熔點明顯低於脫硫溫度，故可直接用於盛鋼桶中進行脫硫，無須進行降溫及細化處理。

材料系   汪俊延老師

一種快速製備層狀雙氫氧化物的方法，包含提供一含Li＋陽離子及Al3+陽離子的水溶液，再於此水溶液中加入一不含鋰鹽或鋁鹽之夾層陰離子起使物，夾層陰離子起使物之陰離子可與Li+、Al3+陽離子結合，形成一層狀雙氫氧化物Li-Al LDH。

材料系   汪俊延老師

一種吸收二氧化碳的方法，包含通入二氧化碳氣體於一水溶液中，溶於水中形成碳酸根離子(CO32-)，水溶液實質含有金屬離子Az+及金屬離子B3+。碳酸根離子(CO32-)與金屬離子Az+及金屬離子B3+形成一層狀雙氫氧化物。透過此方法，二氧化碳可以碳酸根形式穩定封存於層狀雙氫氧化物之層狀結構中。

材料系   汪俊延老師

本發明以電解擴散法在大氣環境下製作鎂-鋰合金，使用石墨當陽極，鎂-鋁-鋅合金薄板當陰極，電解液為45wt%氯化鋰-55wt%氯化鉀。本發明之優點為在大氣環境下，即可製備高鋰含量之鎂-鋰合金，不需手套箱、不需真空熔煉爐。此外，以本方法製備後，材料即為所需之形狀(如板狀)，後續只需簡單壓延，即可成為組織微細均勻之鎂-鋰-鋁-鋅合金。本發明之特點在於-純鋰不但層積於陰極，且因高溫而擴散進入陰極內，形成鎂-鋰合金。本發明之設備為一電解槽，結構簡單，且易於組設。