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修飾非平面電極之方法及含有該電極之晶片


機械系   王國禎老師

技術摘要


本發明係揭露一種修飾非平面電極之方法,其係以一短鏈分子作為一連接物,其中,該短鏈分子係為兩端分別具有一硫基之醇類化合物,因此,該短鏈分子係能以其兩端之硫基分別與一奈米顆粒及一電極表面鍵結,而將多數之奈米顆粒佈設於一非平面之電極表面上。

成果來源


產學合作


申請專利國家


中華民國(發明)


專利證號


I686605