技術摘要
本發明主要是高光取出率的發光二極體晶片，包含一層基材、一層以光電效應產生光的磊晶膜、一層夾設在基材與磊晶膜之間的透明折射層，及一組對該磊晶膜提供電能的電極單元，特別的是，磊晶膜的底面及頂面經過粗化而具有大於100nm以上的粗糙度，使得磊晶膜產生的光因底、頂面的粗化而可有效的被提出，同時，藉著不大於5μm的透明折射層成為磊晶膜與基材間的介質’而可更有效地將光反射並再度向出光面方向行進射出，進而提昇整體的光取出率、增強發光亮度。本發明並提供二種高光取出率的發光二極體晶片的製造方法。
成果來源
中興大學
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I419355