技術摘要
本發明提供具有熱導基板的平面導通式發光二極體的製作方法，是在磊晶氮化鎵系材料的磊晶基材上，用與氮化鎵系材料相匹配且蝕刻選擇比高的材料構成犧牲層，接著自犧牲層向上形成可以光電效應產生光的氮化鎵系材料的磊晶膜單元，然後將一塊暫時基板貼合在磊晶膜單元，之後，蝕刻掉犧牲層，再將由熱傳導係數高的材料構成的熱導基板貼合在磊晶膜上且將暫時基板移除，即製得具有熱導基板的平面導通式發光二極體，這樣製作出的平面導通式發光二極體，因為可藉著熱導基板的高熱傳導特性，而使元件更穩定地作動、具有更長的實際工作壽命。
成果來源
國科會
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I427821