技術摘要
本發明提供雙面粗化垂直導通式發光二極體及其製作方法，先粗化於磊晶基板上磊晶成長之磊晶膜的第一表面並設置頂電極，接著將暫時基板貼上並移除磊晶基板，然後以高低落差不小於300nm的條件粗化磊晶膜裸露出另一第二表面，再將永久基板接觸粗化後的第二表面，並利用光學等級的黏著層填置永久基板與第二表面之間而黏結二者，最後移除暫時基板，即製得雙面粗化垂直導通式發光二極體；本發明藉著粗化的第二表面與永久基板形成非全面的歐姆接觸，可以有效調整電能通過磊晶膜的分佈狀況，提昇磊晶膜的量子效應，進而提高發光二極體的發光效能。
成果來源
國科會、經濟部
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I479689