技術摘要
一種具有高散熱特性的發光元件的製作方法，將發光二極體晶片固置於暫時基板後形成圍覆發光二極體晶片側周面且厚度自發光二極體晶片向暫時基板方向遞減的犧牲層，接著用熱傳快的材料形成主膜體，並在主膜體堆積形成的過程中散佈多數熱傳更快、且粒徑屬奈米尺度範圍的導熱粒子於主膜體中，而使得主膜體和導熱粒子形成導熱膜，之後再自導熱膜向上形成表面實質平行於發光二極體晶片底面的基底，即製得由基底、導熱膜及發光二極體晶片構成且藉犧牲層與暫時基板連結的發光元件，最後移除犧牲層即得到具有高散熱特性的發光元件。
成果來源
經濟部
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I466347