本發明提供一種加強型高電子遷移率電晶體，包含：一個基板、一個半導體單元、一個帶負電層、一個介電層，及一個電極單元。該半導體單元形成於該基板表面，具有一遠離該基板的上表面，該帶負電層具有複數負電荷，形成於該半導體單元部份的上表面往下的區域。該介電層設置於部分的該半導體單元的上表面，並覆蓋該帶負電層。
國科會
中華民國（發明）
I577009