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技術摘要

本發明係揭露一種耦合砷化銦鎵量子點綴於井之太陽能電池，使用堆疊多層耦合In0.75Ga0.25A 量子點綴於井方式以獲得更多的光電流(Jsc)，並且因為 In0.75Ga0.25As 量子點長在 In0.1Ga0.9As 量子井上能減少應力，使得能維持住開路電壓(Voc)，以獲得好的整體效率表現

校內編號

102PC0001

專利國家

中華民國

專利類型

發明

專利證號

I502757

成果來源

國科會