一種混合式記憶體，包含N個記憶體晶胞，每一記憶體晶胞包括一第一電晶體、一第二電晶體、二電容單元、一栓鎖電路、及一模式切換電路，該栓鎖電路接收一第一字元線、一第二字元線、一第一位元線、及一第二位元線，且電連接於該第一及第二電晶體，並至少根據該第一、第二字元線的控制，來決定將該第一、第二位元線上的電壓分別寫入到該第一及第二電晶體，或將所儲存的邏輯值分別讀出到該第一、第二位元線上，該混合式記憶體在一非揮發性記憶體模式及一揮發性記憶體模式操作，而具有不需要額外光罩與製程步驟的優點。
國科會
中華民國（發明）
I511238