一種半導體光電元件係包含有一半導體襯底，該半導體襯底上設有一第一氧化物層，該第一氧化物層上設有一第一電極，該半導體襯底下設有一第二電極，而該半導體光電元件製造方法之步驟係包含有備料步驟、形成氧化物層步驟、形成電極層步驟，藉此，透過低成本液相沈積技術取代電漿輔助化學氣相沉積，並利用製備該第一氧化物層的過程鈍化該半導體襯底，以減少界面漏電流產生，從而抵抗後續電漿輔助化學氣相沉積的離子傷害，俾使半導體光電元件之製程容易控制。
經濟部
中華民國（發明）
I523244