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技術摘要

一種調節聖約翰草生長之方法，係利用種植聖約翰草時添加遠紅外線陶瓷奈米粉體來達到調節生長之作用。包含利用直接添加遠紅外線陶瓷奈米粉體於培養介質，或間接將遠紅外線陶瓷奈米粉體添加於培養介質與種植容器間之空間方式，將聖約翰草種植於培養介質中，可調節聖約翰草之生長及性狀。

校內編號

095PF117

專利國家

中華民國

專利類型

發明

專利證號

I327591

成果來源

中興大學