技術摘要
本發明提供一種程式化一相變化記憶胞的方法及一種相變化記憶體，可以提高操作效率。相變化記憶體包含複數相變化記憶胞及一寫入電路。每一相變化記憶胞包括一第一電極、一相變化材料層及一第二電極，相變化材料層與第一電極的接觸面積小於與第二電極的接觸面積。寫入電路經由相變化記憶胞中被選定的一者的第一及第二電極，施加一設定電流脈衝到相變化材料層，及施加一重設定壓脈衝到相變化材料層，其中，重設電壓脈衝使第一電極的電壓減去第二電極的電壓所得到的電壓差與相變化材料層的席貝克係數異號。
成果來源
國科會
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I384663