技術摘要
本發明是以物理氣相沈積法，利用空氣(air )取代純氮氣(N2)，與氬氣(Ar)一起，在電漿環境下，控制不同的氬氣(Ar)與空氣(air)的比值，製備出金屬氮化物(MNx)薄膜，本發明能有效降低設備與製程成本，將使其金屬氮化物(MNx)薄膜應用更為廣泛。 以氮化鈦(TiNx)或氮化鋯(ZrNx)而言，在電漿環境下，背景壓力只需抽1~3分鐘，即可進行製備。而使用空氣(air)作為反應性氣體，以適當的air/Ar比例，所鍍著之薄膜，經X光繞射儀與特性檢定，確定能成功製備出氮化薄膜。
成果來源
國科會
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I381058