技術摘要
本發明提供一種多階程式化一相變化記憶胞的方法及一種相變化記憶體，容易實現，且可以提高重覆次數及減輕熱串號問題。相變化記憶體包含複數相變化記憶胞及一寫入電路。每一相變化記憶胞包括一第一電極、一相變化材料層及一第二電極。寫入電路經由相變化記憶胞中被選定的一者的第一及第二電極，施加一設定電流脈衝，以使相變化材料層實質上完全結晶，及根據一寫入資料，施加至少一重設電壓脈衝，以在相變化材料層中產生一大小與寫入資料對應的非晶區域，其中，重設電壓脈衝的振幅、寬度及數量中的至少一者是可調的，且與寫入資料對應。
成果來源
國科會
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I379300