技術摘要
本發明提供容易實現之一種多階程式化一相變化記憶胞的方法及一種相變化記憶體。相變化記憶體包含複數相變化記憶胞及一寫入電路。每一相變化記憶胞包括一第一電極、一相變化材料層及一第二電極。寫入電路經由相變化記憶胞中被選定的一者的第一電極及第二電極，施加一重設電壓脈衝，以在相變化材料層中形成一具有預設大小的非晶區域，及根據一寫入資料，施加至少一設定電流脈衝，以減小相變化材料層的非晶區域到與寫入資料對應的大小，其中，設定電流脈衝的振幅、寬度及數量中的至少一者是可調的，且與寫入資料對應。
成果來源
國科會
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I370538