一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟：首先形成一圖樣化膜層於一基板上，並繼續形成一第一磊晶層，接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域，進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間，再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層，接續地蝕刻移除圖樣化膜層，弱化第一磊晶層的結構，以利蝕刻移除該第一磊晶膜，最後蝕刻移除液化犧牲膜，以將基板自第二磊晶膜剝離，有效提高移除效率。
經濟部
中華民國（發明）
I441241