技術摘要
一種固態發光結構的製造方法，先在第一基板上形成氮化鎵系材料無法磊晶成長的犧牲層，再移除部分犧牲層的結構得到圖案化的犧牲層結構；然後以朝三維方向成長的磊晶生長自第一基板的預定區域形成由氮化鎵系材料構成的第一半導體結構、以朝橫向成長速度較快的磊晶生長自第一半導體結構向上形成第二半導體層、和由第二半導體層向上成長供電時發光的發光晶體層；在發光晶體層表面接合上第二基板後移除犧牲層結構形成蝕刻通道，再經由蝕刻通道移除第一基板、第二半導體層後，即製得連結在第二基板與發光晶體層的固態發光結構。
成果來源
經濟部
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I493755