技術摘要
垂直導通式發光二極體包含：磊晶基板、磊晶膜層結構、第一電極、反射層、第二電極層及散熱層。磊晶基板具第一、二板本體及鍵合於各板本體之第一表面間的黏結層。第一板本體具貫穿其第一表面及遠離黏結層的第二表面的內圍繞面。黏結層與第二板本體各具內環面。磊晶膜層結構形成於第二板本體之遠離黏結層的第二表面，並具導電性GaN層及內環面。內圍繞面與各內環面共同界定一空腔並裸露導電性GaN層於空腔外。第一電極形成於磊晶膜層結構。反射層覆蓋導電性GaN層。第二電極層覆蓋反射層、各內環面、內圍繞面及其第二表面。散熱層覆蓋第二電極層。
成果來源
經濟部
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I460891