技術摘要
本發明提供一種奈米異質結構，其包含第一奈米結構以及設置於前述第一奈米結構之表面上的複數個第二奈米結構。第一奈米結構具有一長軸方向與一短軸方向，且第一奈米結構於短軸方向上之截面積係沿著長軸方向漸縮。其中第一奈米結構包含n型半導體材料，而前述第二奈米結構包含p型半導體材料。藉此，相較於單一材質結構之氣體感測感測器，第一奈米結構與第二奈米結構間所形成之p-n接面與高比表面積等優點提升本發明提供之奈米異質結構於室溫下之氣體感測靈敏度，且前述奈米異質結構所應用之氣體感測器的氣感特性不易受濕度環境的影響。
成果來源
國科會
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I574006