一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每n個晶面構成一角錐形的凹孔，n是不小於3的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於500nm，當使用本發明進行磊晶時，是自該等晶面成核後成長並聚集，而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成長，而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體，進而提升以此磊晶用基板製作出的元件的工作效能。
國科會、經濟部
中華民國（發明）
I466287