一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每 n 個晶面構 成一角錐形的凹孔，n 是不小於 3 的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一 最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於 500nm，當使用本發明進行磊晶 時，是自該等晶面成核後成長並聚集，而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成 長，而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體，進而提升以此磊晶用基板製作出的元件 的工作效能。
國科會、經濟部
美國（發明）
US 9391235 B2