技術摘要
本發明提供一種直流濺鍍用的濺鍍靶材，包含一Mg1-xAxO1-yDy之化學式(1)；其中，A是一選自由下列所構成之群組的金屬元素：Ti、Al、Ta、V、Sc、Y，及前述金屬元素的組合； D是N，或N與一選自由下列所構成之群組的非金屬元素的組合：C、B，及前述非金屬元素的組合；0.3≤x＜0.8，且0.1≤y≤0.51；該化學式(1)是一岩鹽結構，A於該岩鹽結構中是取代Mg的部分晶格位置，且D於該岩鹽結構中是取代O的部分晶格位置。本發明亦提供一種具有經直流濺鍍上述濺鍍靶材之鍍膜的垂直磁性記錄媒體，且該鍍膜具有(200)之織構。
成果來源
國科會
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I640644