本次發明提出透過CMOS製程製作結合金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)與磁電晶體的三維磁場感測器，此感測器量測原理是透過磁場與感測器的載流子耦合時，載流子會受到勞侖茲力影響而偏轉，導致兩側感測電極的載流子濃度不平均，進而產生電位差，此電位差可以稱為霍爾電壓為感測器主要的輸出訊號。此感測晶片整合三軸向磁電晶體作為感測結構，達到單一晶片感測多軸磁場之目的。
國科會
中華民國（發明）
I851345