技術摘要
一種半導體元件高深寬比(HAR)孔洞或槽渠之填孔電鍍液及填孔製程，包括：提供一具有高深寬比特徵之槽渠或孔洞的半導體基材；將該半導體基材於一電化學系統中進行填孔電鍍；該電化學系統之電鍍液包含鎳離子和鎢酸根離子、螯合劑、pH值調整劑、潤濕劑、應力消除劑、加速劑、或加速劑和抑制劑之組合；且該電鍍液的pH值為4~6；控制陰極電流密度為2.5ASF~3.5ASF之間一固定值，電鍍進行3~4小時，於該槽渠或孔洞中以超級填充(Superfilling)沈積模式形成一鎳鎢合金栓塞(Plug)。
成果來源
中興大學
申請專利國家
中華民國（發明）
專利證號
I506727