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低溫結晶之透明導電薄膜製造方法及利用該方法所製成之物
本發明係提出一種低溫結晶之透明導電薄膜製造方法及其利用該方法製成之導電薄膜。其中該方法係以氧化銦為主要成分之一靶材對一基板進行物理氣相沉積,其特徵在於:該靶材包含一二氧化錫成分及一過渡元素氧化物成分,且該二氧化錫相對該靶材整體之重量百分比小於或等於8wt.%;該過渡元素氧化物相對該靶材整體之重量百分比小於或等於2.5wt.%,其中該過渡元素氧化物種類為涵蓋四價或四價以上元素之氧化物,又該物理氣相沉積之環境溫度係可於室溫下進行。藉此,可於一般室溫下於該基板上形成結晶態之薄膜,且該薄膜具有低電阻、高光透之物理特性。
閱讀詳細內容TiZrHf氮化物薄膜加值應用於摩擦攪拌頭
鈦鋯鉿金屬氮化物為四元體系薄膜材料,元素組成配比視窗較廣,固溶強化作用強烈,機械性質與熱穩定性更高於傳統材料。由於靶材重元素配比,直接提高濺鍍粒子動能,無需外加偏壓或者高功率脈衝設備即可鍍製高品質硬質薄膜。鈦鋯鉿金屬氮化物同屬IV族元素,固溶之後仍能保持淡金黃色澤,附加價值較高。目前應用於摩擦攪拌銲接頭上,並已證實可延長3倍的使用壽命。
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